Моделювання Х-променевих топографічних зображень дефектів у реальних кристалах Si
Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
Подобные документы
Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Розробка алгоритмів і відповідного програмного забезпечення обробки топографічних зображень картин і окремих ліній Кікучі. Підвищення точності та ефективності методу Кікучі при дослідженні структурної неоднорідності синтезованих кристалів алмазу.
автореферат, добавлен 27.07.2015Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Характеристика механізмів динамічного розсіяння Х-променів у випадку аномального проходження на окремих структурних дефектах в кремнії. Вивчення особливостей та закономірностей формування багатопелюсткових борманівських зображень дислокаційних петель.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив спотворень на величину і поведінку інтегральної відбиваючої здатності. Закономірності дифракції рентгенівських променів на масивних реальних кристалах кремнію для розвитку представлень про вплив структурних спотворень на параметри дифракції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Феноменологічна динамічна модель залежностей повної інтегральної інтенсивності дифрагованого випромінення у вигнутих кристалах з дефектами від пружного циліндричного вигину та характеристик дефектів для граничного випадку кристала в геометрії за Лауе.
автореферат, добавлен 28.08.2015Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Механізми впливу температури на накопичення радіаційних дефектів. Особливості впливу радіаційних дефектів на рекомбінаційні властивості опроміненного кремнію. Взаємодія вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними та оптичними фононами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Характеристика особливостей поширення світла в деформованих та дефектних рідкокристалічних структурах. Дослідження оптичної характеризації нових рідкокристалічних матеріалів, фаз і дефектів. Вивчення структурних перетворень дефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013