Фізичні властивості напівпровідників кадмій - ртуть - телур та фотодіодних структур на їх основі для багатоелементних фотоприймалних пристроїв ІЧ діапазону
Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
Подобные документы
Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Основні моделі черенковського випромінювання як ефекту нелінійної та релаксаційної оптики, включаючи мікроскопічну. Припущення, що "конусна" частина фізичних ефектів самофокусування та самоканалювання має ту ж саму природу, як й черенковське опромінення.
статья, добавлен 07.12.2016Фізичні процеси, що протікають при релаксації молекул з високозбуджених станів. Механізми у полікристалічних шарах і в полімерних розчинах поліаценів. Процеси в шарах з галогенідами ртуті, кадмію й цинку при реєстрації рентгенівського випромінювання.
автореферат, добавлен 24.07.2014Розгляд характеристик класифікації випромінювання оптичного діапазону: інфрачервоного, ультрафіолетового та лазерного. Визначення основних заходів та засобів захисту від опромінення. Встановлення джерел випромінювання та їх впливу на організм людини.
реферат, добавлен 12.05.2015Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Загальні закономірності синтезу інтерференційних структур із заданими спектральними характеристиками і максимальним подавленням фонового випромінювання. Дослідження властивостей багатошарових інтерференційних фільтрів із широкими смугами прозорості.
автореферат, добавлен 28.08.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 13. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Створення твердотільних структур метал-напівпровідник-метал на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe з контактами різного типу. Вибір оптимальної структури та методів її модифікації для ефективної реєстрації випромінювання в широкому діапазоні енергій.
автореферат, добавлен 30.07.2014Аналіз перерізів збудження ізомерних станів важких ізотопів телуру. Визначення ролі статистичного і напівпрямого механізмів в реакціях. Аналіз впливу природи і структури низькозбуджених станів на перерозподіл імовірності переходів між рівнями парності.
статья, добавлен 27.12.2016Вплив просторово-часової неоднорідності щільної плазми на її фізичні властивості. Методика емісійної і абсорбційної томографічної спектрометрії плазми на основі просторової модуляції випромінювання. Умови формування плазмових згустків у газі і вакуумі.
автореферат, добавлен 12.02.2014Загальна характеристика гама-випромінювання. Поглинання гама-променів речовиною. Експериментальне встановлення гама-випромінювання. Використання приладів дозиметричного контролю та принципи їх роботи. Вимірювачі потужності дози радіоактивної зараженості.
реферат, добавлен 19.11.2010Елементний склад і розподіл елементів по глибині для плівок SiOX у залежності від методу їх формування та механізми впливу технологічних параметрів отримання на їх властивості. Вплив домішки азоту на формування структур із кремнієвими нанокластерами.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014