Основы высокотемпературной криоэлектроники
Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
Подобные документы
Физическая сущность сверхпроводимости в полупроводниках. История открытия данного явления. Свойства сверхпроводников I и II рода. Влияние магнитного поля на сверхпроводящее состояние вещества. Перспективы применения сверхпроводниковых технологий.
реферат, добавлен 10.01.2014Понятие криоэлектроники, которая изучает особенности поведения радиоэлектронных компонентов и материалов при очень низких температурах. Перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
реферат, добавлен 29.09.2012Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017История открытия сверхпроводимости, ее физические основы. Джозефсоновский переход, сверхчувствительные приемники. СКВИД-датчик. Сверхчувствительные магнитометры. Сканирование слабонамагниченных объектов. Радиоэлементы на основе сверхпроводящих пленок.
реферат, добавлен 12.09.2019Применение тонких проводящих пленок в радиотехнике и электронике. Экспериментальное исследование отражения, прохождения и резонансного поглощения электромагнитных волн в тонких нанометровых пленках меди, алюминия и нихрома в диапазоне длин волн 2–10 см.
статья, добавлен 19.06.2018Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Результаты разработки и изготовления экспериментальной установки для проведения полиионной сборки тонких пленок на поверхности твердой подложки. Использование метода послойного наплавления FDM для изготовления механических элементов данной установки.
статья, добавлен 23.05.2018Разработка методики структурирования функций качества антенных устройств бортовых комплексов. Построение математических моделей технологических процессов сборки и пайки волноводно-щелевых антенн, распределение показателей качества изделий в динамике.
автореферат, добавлен 31.07.2018Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Особенности разработки информационной технологии мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов полупроводников. Знакомство с основными методами получения монокристаллов. Способы настройки подсистемы виртуального мониторинга.
статья, добавлен 19.06.2018Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Выяснение зависимости сопротивления проводника от температуры. Изучение явления сверхпроводимости. Анализ теории электропроводности металлов. Расчет работы и мощности тока по закону Джоуля-Ленца. Исследование правил Кирхгофа для разветвленных цепей.
контрольная работа, добавлен 01.10.2015Переход от микро- к наноразмерным пленкам в электронике. Работа технологической установки для формирования наноразмерных пленок и диагностической рентгено-рефлектометрической системы. Контроль параметров растущих пленок в реальном времени их формирования.
лабораторная работа, добавлен 30.11.2018Электрофизические свойства объемного арсенида индия: структура, оптические характеристики, подвижность. Методы глубокой очистки индия. Получение мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
реферат, добавлен 07.10.2010Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Функции лазерных дальномеров и радиолокаторов (радаров), работа которых основана на измерении времени движения электромагнитных сигналов. Сущность Баллистической Теории Ритца и баллистического принципа сложения скорости света со скоростью его источника.
статья, добавлен 14.11.2018- 23. Методы электромагнитного и магнитного воздействия на электронные носители информации и их реализация
Актуальность разработки и внедрения устройств экстренного уничтожения информации, хранимой на современных типах электронных носителей. Способы воздействия на них. Экспериментальные исследования и разработка образцов устройств уничтожения информации.
статья, добавлен 07.11.2018 Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Наноэлектроника – область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе. Разработка электронных устройств со сверхмалыми размерами; методы их получения.
доклад, добавлен 23.03.2019