Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів
Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
Подобные документы
Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 3. Анізотропія магнітних та надпровідних властивостей в нестехіометричних рідкісноземельних перовскітах
З'ясування природи співіснування і взаємовпливу магнетизму і надпровідності. Встановлення причин виникнення і зміни анізотропії структурних, магнітних і надпровідних властивостей. Вдосконалення методики визначення спін-спінових взаємодій і анізотропії.
автореферат, добавлен 25.06.2014 Визначення природи контактних явищ в гетероструктурах з надпровідними і ненадпровідними купратними металооксидами. Особливості утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу ВТНП гетероструктур. Методи твердофазного синтезу буферних шарів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Дослідження властивостей двовимірного електронного газу в провідному каналі гетероструктури в наносекундному діапазоні. З’ясування природи квантово-розмірних ефектів, притаманних гарячим електронам. Вивчення кінетики провідного каналу гетероструктур.
автореферат, добавлен 12.07.2015- 8. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 - 9. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження взаємозв'язку особливостей електронних спектрів гексаборидів з їх структурними, пружними, магнітними і оптичними властивостями. Вплив тиску на електронний енергетичний спектр і магнітні властивості гексаборидів рідкісноземельних металів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Дослідження низькотемпературних властивостей кристала, який містить надпровідні включення різних матеріалів. Розрахунок намагніченості та провідності кристала з двома типами надпровідних включень. Аналіз залежності провідності системи від магнітного поля.
статья, добавлен 12.09.2013Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження електрофізичних властивостей структур на основі поруватого кремнію і паладію при сорбції, накопиченні та виділенні водню з точки зору їх застосування як сенсорів і твердотільних джерел Н2. Оцінка інтенсивності виділення та виходу водню.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 19. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 - 20. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Гальваномагнітні дослідження фізичних властивостей перспективних матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки і спінової електроніки. Аналіз температурних і польових залежності ефекту Холла, питомого опору та намагніченості в феромагнітних розчинах.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка функціональних матеріалів на базі ціанофератів перехідних металів, характеристика їх структури, оптичні та електрохімічні властивості, сфери їх застосування. Поняття кінетики і довговічності електрохромних індикаторів, рентгенофазова дифракція.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009