Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем
Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
Подобные документы
Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
автореферат, добавлен 28.09.2015Підвищення коефіцієнта корисної дії, стабільності та розширення діапазону перебудови частоти електричних коливань генераторів на основі транзисторних структур. Дослідження стійкості роботи схем генераторів, визначення амплітуди і частоти коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2014Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження умов переносу нерівноважних дірок і стабілізації процесу формування макропор протягом електрохімічного травлення кремнієвих пластин при зона-зонному освітленні. Вивчення структури, хімічного складу та фотолюмінесценції поверхні макропор.
автореферат, добавлен 24.06.2014Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Порівняння ефективності електромагнітних кристалів на основі неоднорідностей з традиційними рішеннями на основі мікросмужкової лінії. Аналіз обмежень ефективності традиційних мікросмужкових структур. Комп’ютерне моделювання в CST Microwave Studio.
статья, добавлен 30.10.2016Характеристика електрофізичних властивостей структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію у широкому інтервалі температур на постійному та змінному струмах. Аналіз передумов розроблення фізичних основ створення мікроелектронних сенсорів.
автореферат, добавлен 21.03.2016Дослідження структур мультисервісних мереж на основі тензорного та фрактального аналізу для розрахунку параметрів визначення шляхів переходу до конвергентних мереж. Використання структур міських телефонних мереж для переходу до конвергентних мережах.
автореферат, добавлен 27.07.2015Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Алгоритмы численного анализа структур, содержащих нерегулярные связанные линии передачи произвольной формы и сосредоточенные корректирующие включения. Методика анализа комбинированных структур во временной области в режиме импульсного воздействия.
автореферат, добавлен 02.09.2018Увеличение чувствительности метода радиозатмений для обеспечения радиовидения слоистых структур. Распределение электронной концентрации по данным радиопросвечивания. Разделение вкладов атмосферы, шума и обнаружение слоистых структур в ионосфере Венеры.
статья, добавлен 30.10.2018Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Варіанти технологічного процесу формування К–МОН структур цифрових компараторів, що забезпечують підвищення швидкодії. Схемотехнічні та технологічні рішення цифрових компараторів високої швидкодії, реалізованих з використанням кремнієвої технології.
статья, добавлен 30.10.2016Розробка квазілінійних моделей генераторів на основі транзисторних структур з від'ємним опором. Амплітуда і частота стаціонарних коливань, оцінка короткотривалу нестабільності генератора. Причини нелінійного відхилення частоти генерованих коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2015Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.
статья, добавлен 29.09.2016Характеристика особливостей розвитку методів моделювання мікрострічкових електродинамічних структур, що містять елементи з розподіленими і зосередженими нелінійними елементами. Дослідження основних нелінійних режимів і параметрів таких структур.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка моделей, методів, алгоритмів і структур спецпроцесорів для формування зображень світлових і тіньових ефектів для методу зворотного трасування, які мають підвищену продуктивність і синтезують зображення з високим ступенем реалістичності.
автореферат, добавлен 30.09.2013Методи і алгоритми швидкого тестування цифрових пристроїв на основі формування штучних фрагментів схем та компонентних структур цифрових об'єктів. Методика коригування програм тестування компонентів з врахуванням структурних особливостей їх комутації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Систематизація структур та засобів побудови арифметичних пристроїв різноманітних класів, дослідження їх властивостей. Розвиток і адаптація алгебри симетричних функцій. Розробка програм функціонально-логічного проектування арифметичних пристроїв.
автореферат, добавлен 23.11.2013Оцінка дефектності та прогнозування виходу придатних мікроелектронних пристроїв. Аналіз напівпровідникової структури. Методика забезпечення технологічності мікроелектронних пристроїв та засобів контролю дефектності структур і стабільності їх елементів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження шляхів впровадження технології блокчейн в державному управлінні, визначення потенційних переваг і проблем використання цієї технології у державному секторі та найкращих методів її впровадження. Аналіз сфер використання технології блокчейн.
статья, добавлен 18.12.2023