Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів

Характеристика основоположних підходів до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів. Головна особливість дослідження поперечного перерізу пристрою та відповідних енергетичних зон під напругою прямого зміщення.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.