Тонкопленочные конденсаторы
Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов. Резонаторы и фильтры на основе МПЛ. Логические ИМС и базовые ячейки. Максимально допустимая относительная погрешность воспроизведения площади конденсатора. Диодное включение интегрального транзистора.
Подобные документы
Конструирование тонкопленочных резисторов. Расчет тонкопленочных конденсаторов и проводников. Выбор навесных элементов. Определение площади платы и ее размера. Схема размещения плат на подложке. Электрофизические и механические характеристики ситалла.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Конструктивно-технологические разновидности резисторов. Зависимость максимально допустимого тока от сечения провода. Система обозначений и маркировка конденсаторов. Исследование устройства конденсатора переменной емкости. Расчет коэффициента адсорбции.
методичка, добавлен 16.02.2020Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.05.2017Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Расчет параметров транзистора в рабочей точке и вычисление сопротивления эквивалентного генератора. Емкость блокировочного конденсатора промежуточного каскада, его максимально достижимая площадь усиления. Построение амплитудно-частотных характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.06.2018Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
дипломная работа, добавлен 10.02.2017Определение наиболее достоверного значения величины, абсолютная и относительная погрешность каждого из измерений, среднеквадратичная погрешность результата. Упрощённая схема задающего генератора, принцип его действия. Расчет сопротивление аттенюатора.
контрольная работа, добавлен 04.04.2018Определение основных параметров несимметричного мультивибратора. Вычисление максимально допустимого напряжения между коллектором и базой транзистора, его выбор по коэффициенту усиления. Расчет мощности резисторов и номинальной емкости конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 08.02.2013Применение конденсаторов в радиотехнической и телевизионной аппаратуре, в технике счетно-решающих устройств. Конденсаторы в рентгенологической аппаратуре, в устройствах электротерапии, в фотографической технике. Емкость современных конденсаторов.
презентация, добавлен 22.04.2012Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
практическая работа, добавлен 18.04.2014Линейная зависимость измерения частоты колебательного контура от угла поворота ротора. Изменение площади перекрытия статорных пластин конденсатора роторными или при помощи выреза на статоре или роторе. Подключение дополнительной емкости конденсатора.
курсовая работа, добавлен 06.09.2012Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Использование основных методов создания интегральных микросхем. Навесные безкорпусные полупроводниковые приборы с жесткофиксированной системой выводов. Конструкция безкорпусного транзистора с балочными выводами. Пленочные резисторы и конденсаторы.
реферат, добавлен 07.05.2022Подразделение радиоэлектронной аппаратуры на уровни. Выбор варианта базовой конструкции ячейки. Правила установки корпусных микросхем и микросборок на печатные платы. Элементы электрических соединений и фиксации. Базовые несущие конструкции ячеек.
реферат, добавлен 10.11.2010Резонаторы, области их использования. Открытые волноводные металлодиэлектрические резонаторы предельного типа, их параметры, методы расчета. Расчет углов пролета и оценка эффективности взаимодействия электромагнитного поля резонатора с электронным пучком.
курсовая работа, добавлен 25.12.2019Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Измерение разности фаз - важная техническая задача при проектировании систем неразрушающего контроля. Метод преобразования фазы во временной интервал. Относительная систематическая погрешность. Структурная схема блока измерения временных интервалов.
статья, добавлен 14.07.2013Понятие и сущность биполярного транзистора, принцип его работ, топология и вертикальное сечение. Структура интегрального конденсатора выполненного по биполярной технологии. Передаточная характеристика логического вентиля, температурная зависимость.
учебное пособие, добавлен 26.12.2014Построение, элементы и функции частотно-избирательных фильтров. Фильтры нижних частот Баттерворта, Чебышева, инверсные и эллиптические. Классификация и расчет фильтров верхних частот. Полосно-пропускающие фильтры: общая характеристика, виды и расчет.
дипломная работа, добавлен 21.07.2010- 25. Конденсаторы
Определение последовательных и параллельных емкостей, примеры реализации в ГИС СВЧ. Получение большей емкости на основе гребенчатой структуры, их достоинства. Конденсаторы на основе пленочных структур, их особенности. Безвыводной керамический конденсатор.
реферат, добавлен 04.12.2008