Енергетичний спектр рідкоземельних іонів (Tm3+, Tb3+, Sm3+) в сульфідних та оксидних матрицях в кластерному наближенні
Закономірності формування енергетичного спектра, що використовується в оптоелектроніці. Правила підбору модельних об’єктів для дослідження твердого тіла в сульфідних та оксидних матрицях. Сутність методу кластерного наближення рідкоземельних іонів.
Подобные документы
Методи термічного випаровування в квазізамкнутому об’ємі. Окиснення леткого попередника. Енергетичні стани електронів. Загальні закономірності фізико–хімічних процесів формування п’єзоактивних оксидних та халькогенідних структур з розвиненою поверхнею.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження взаємодії із поверхнею твердого тіла іонів низьких енергій. Пошук нових систем газ-тверде тіло, ефективних при збудженні частинками низьких енергій. Аналіз нетрадиційних способів одержання люмінофорів при поверхневих способах збудження.
автореферат, добавлен 14.07.2015Характер змінення найближчого оточення парамагнітних іонів в умовах високого тиску, а також в спіновій системі в точках перетину енергетичних рівнів. Змінення g-факторів іонів з незамороженим орбітальним моментом в низькотемпературному інтервалі.
автореферат, добавлен 28.12.2015Дослідження процесів, які призводять до утворення збуджених частинок, що відлітають від поверхні при взаємодії іонного пучка з твердим тілом. Використання методу іонно-фотонної спектроскопії для визначення параметрів електронної структури твердого тіла.
автореферат, добавлен 11.08.2015Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження нелінійних процесів в плазмовій лінзі, яка використовується як пристрій, що керує пучками іонів. Градієнтні нестійкості, притаманні плазмооптичним пристроям. Умови оптимального проходження компенсованого іонного пучка у плазмовій лінзі.
автореферат, добавлен 13.07.2014Процес утворення свинцевовмісних нано(мікро)кристалів в галоїдних кристалічних матрицях різної структури. Механізм трансформації і міграції високоенергетичних електронних збуджень в кристалічних матрицях, що вміщають одиничні, комплексні свинцеві центри.
автореферат, добавлен 28.07.2014Процеси утворення свинцевовмісних нано(мікро)кристалів в галоїдних кристалічних матрицях різної структури. Механізми трансформації і міграції високоенергетичних електронних збуджень в кристалічних матрицях. Фазовий склад і форма свинцевовмісних агрегатів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розгляд засад чисельно-експериментального дослідження кінетичної залежності швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні оксидних кристалів. Аналіз температурних умов на фронті кристалізації за допомогою радіаційного теплообміну.
автореферат, добавлен 29.01.2016- 10. Релятивістська теорія заборонених радіаційних переходів у спектрах атомів та багатозарядних іонів
Розробка релятивістського методу опису характеристик заборонених радіаційних переходів у спектрах важких атомних систем і багатозарядних іонів. Розрахунки енергій, ймовірностей, сил осциляторів радіаційних переходів для іонів та атомів лантаноїдів.
автореферат, добавлен 25.07.2015 Дослідження особливостей збудження іонів індію повільними електронами. Визначення впливу релятивістських і резонансних ефектів на механізми збудження. Аналіз ефективних перерізів електронного збудження спектральних ліній іонів у межах підгрупи алюмінію.
автореферат, добавлен 29.09.2014Вивчення структури енергетичного спектра носіїв у кристалі. Фізичні процеси, що відбуваються в тунельних електроно-діркових переходах. Розрахунок часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпрвідникових приладах. Дослідження термоелектронних явищ.
методичка, добавлен 18.04.2014Вимір профілів імплантації іонів 4He у Ni в області енергій, що відповідає максимуму гальмівної здатності іонів He. Опис спектру дворазового пружного розсіювання швидких легких іонів. Вибір методики вимірювання концентраційних профілів ізотопів кисню.
автореферат, добавлен 27.02.2014Дослідження кінетичних процесів, що мають місце в джерелі негативних іонів, роботи джерела в імпульсно-періодичному режимі. Перенос плазми в джерелі негативних іонів водню з відбитковим розрядом. Вплив домішок цезію на емісійні характеристики джерела.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження обертальних рухів твердого тіла, близьких до регулярної прецесії у випадку Лагранжа, під дією збурюючого моменту сил, змінного з часом. Розв’язання задач динаміки обертаннями твердого тіла, які мають самостійне значення для застосувань.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 16. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Способи задання руху точки. Векторний спосіб визначення швидкості і прискорення точки. Обертальний рух твердого тіла навколо нерухомої осі. Розподіл швидкостей і прискорень точок тіла при обертальному русі. Перетворення найпростіших рухів твердого тіла.
контрольная работа, добавлен 19.03.2011Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Високоточний підхід до розрахунку спектрів важких іонів з урахуванням релятивістських, кореляційних, ядерних, радіаційних ефектів на підставі калібровочно-інваріантної КЕД теорії збурень. Розрахунки спектрів важких багатоелектронних атомних систем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вплив радіаційного теплообміну на температурні умови вирощування оксидних кристалів з розплаву. Кінетична залежність швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні кристалів методом осьового теплового потоку на фронті кристалізації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016Аналіз фізичних процесів, що діють у плазмі джерел позитивних і негативних іонів водню на основі відбивного розряду з металогідридними катодами. Особливості механізмів утворення іонів водню. Вплив плазми розряду на газо-емісійні властивості електродів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Стаціонарні розподіли рухомих позитивно заряджених іонів у кристалі CdS, що сформовані під дією електричного поля. Можливості керованого формування складних профілів провідності та фоточутливості. Побудування теорії перехідного процесу електродифузії.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка нового, високоточного, калібровочно-інваріантного методу релятивістського розрахунку характеристик діелектронних сателітів спектральних ліній складних багатозарядних іонів на основі теорії збурень для трьохквазічастинкових атомних систем.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз коливального спектра в широкому діапазоні температур методами спектроскопії комбінаційного розсіяння світла і інфрачервоного відбиття. Особливості термостимульованої міграції іонів літію в комбінаційному і гіперрелеївському розсіянні світла.
автореферат, добавлен 25.04.2014