Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
Подобные документы
Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 2. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
автореферат, добавлен 28.09.2015Принцип дії та класифікація аналогових вимірювальних приладів. Властивості приладів магнітоелектричної, електродинамічної, феродинамічної, електромагнітної, електростатичної, індукційної систем. Засоби та правила вимірювань із застосуванням цих приладів.
курсовая работа, добавлен 14.03.2015Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Аналіз температурно-часових характеристик процесу термообробки монокристалів напівізолюючого нелегованого GaAs з різною стехіометрією й структурою дислокацій. Розробка технологічних режимів керування електрофізичними параметрами епітаксійних шарів GaAs.
автореферат, добавлен 30.07.2015Напрямки вивчення властивостей електровакуумних приладів надвисоких частот. Особливості напівпровідникових приладів даної категорії. Функціональні властивості та головні сфери застосування квантових приладів надвисокий частот оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Узагальнення характеристики шкал вимірювальних приладів. Сучасна техніка та метрологія. Розробка методики розрахунку параметрів та побудови універсальних шкал віртуальних приладів з урахуванням сучасних вимог та можливостей програмного забезпечення.
статья, добавлен 14.09.2016Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Створенню наближеної нелінійної теорії та інженерних методів розрахунку автофазних приладів НВЧ – нового класу електронно-вакуумних релятивістських приладів НВЧ, в основу яких покладене явище повного захоплення електронів полем електромагнітної хвилі.
автореферат, добавлен 06.07.2014Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.
статья, добавлен 29.09.2016Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
статья, добавлен 26.09.2014Вивчення об'єктів та явищ шляхом виконання вимірювань за їх фотографіями. Зображення предмета на площині, що побудоване за певними правилами. Геометричні властивості поодинокого знімку. Принцип дії приладів для стереоскопічної обробки аерофотознімків.
курс лекций, добавлен 17.06.2014Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Сучасні бізнес-зв'язки, які окрім традиційних способів набуття і форм підтримання, формуються за принципом мережевих відносин. Нетворкінг як процес налагодження ділових контактів з метою формування таких відносин, які потім можуть перерости в бізнес.
статья, добавлен 27.10.2022Методи обробки вимірювальної інформації з морських приладів, що буксируються і зондують. Характеристика полів навколишнього середовища. Діапазони мінливості (спектрально-хвильові вікна). Оцінка динамічних погрішностей при зондуванні і їх розрахунок.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
статья, добавлен 17.05.2020Розробка теорії автофазної лампи бігучої хвилі з урахуванням поля об’ємного заряду. Дослідження електронно-хвильових явищ в статичних полях лазера на вільних електронах. Зв’язок між шириною згустку та його положенням відносно електромагнітної хвилі.
автореферат, добавлен 12.08.2014