Багатофункціональний електрохемілюмінесцентний елемент з плівками Ленгмюра-Блоджетт на електроді
Комп'ютерне моделювання основних фізичних процесів: переносу речовини, носіїв заряду та енергії електронного збудження, що протікають під час роботи електрохемілюмінесцентного елемента з модифікованим робочим електродом, їх експериментальні дослідження.
Подобные документы
Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014- 2. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Молекулярное моделирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе стеаратных комплексов La(III) и изучение их свойств. Свойства пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе стеаратных комплексов РЗЭ. Анализ метода молекулярной механики. Приближение силового поля ММ+.
курсовая работа, добавлен 21.01.2016Створення мікроелектронних хімічних біосенсорiв. Розробка високочутливих селективних аналізаторів іонів важких металів. Вивчення впливу парів аміаку на електропровідність плівок поліаніліну. Комп’ютерне моделювання зміни поверхневого потенціалу сенсорів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Встановлення впливу висоти заряду вибухової речовини на значення кута розльоту та початкової швидкості руху осколкового диску природнього дроблення. Проведення оцінки ступеня небезпеки від осколкової дії різноманітних осколково-фугасних боєприпасів.
статья, добавлен 05.12.2013Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Исследование протекания бимолекулярных фотореакций в мономолекулярных слоях поверхностно-активных веществ. Особенности кинетики фотопроцессов в квазиоднородных системах. Распределение молекул красителя в пленке на основе технологии Ленгмюра-Блоджетт.
статья, добавлен 30.01.2018Исследование процесса переключения сегнетоэлектрических ленгмюровских пленок П(ВДФ-ТрФЭ) различной толщины от 7 до 100 монослоев разными способами. Исследование диэлектрической дисперсии в сверхтонких сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт.
автореферат, добавлен 02.08.2018- 13. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Вивчення процесів електронного збудження автоіонізаційних станів атома літію методом електронної спектроскопії з використанням техніки електронного і атомного пучків, що перетинаються. Розробка та впровадження методики вимірів фізичного резонансу.
автореферат, добавлен 07.03.2014Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Розробка одновимірної стаціонарної моделі гідродинамічних і фізико-хімічних процесів у висхідному висококонцентрованому двофазовому потоці в надшаровому просторі реактора. Визначення рівняння переносу кінетичної енергії пульсаційного руху частинок.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження методів підвищення ефективності робочих режимів суднових установок. Вдосконалення процесів енергоперетворення за допомогою дискретних алгоритмів управління. Моделювання перехідних процесів для комутації навантаження та форсування збудження.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення електронного транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах типу AlxGa1-xN/GaN. Дослідження фізичних явищ, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних температурах, як особливостей переносу заряду.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження в інтервалі енергій гамма-квантів 10-18 МеВ енергетичної залежності ізомерних відношень виходів у реакціях 85Rb(y,n)84m,gRb та 87Rb(y,n)86m,gRb. Експериментальні результати порогів збудження ізомерних станів та енергії активаційних рівнів.
статья, добавлен 07.10.2013Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження особливостей збудження іонів індію повільними електронами. Визначення впливу релятивістських і резонансних ефектів на механізми збудження. Аналіз ефективних перерізів електронного збудження спектральних ліній іонів у межах підгрупи алюмінію.
автореферат, добавлен 29.09.2014Процес впровадження у систему викладання фізики новітніх комп’ютерних та інформаційних технологій. Застосування алгоритму Ейлера-Кромера для моделювання фізичних процесів, дослідження руху тіла у однорідному полі тяжіння з урахуванням сили опору повітря.
статья, добавлен 30.01.2016Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження науково-прикладної проблеми розвитку наукових і методологічних основ створення систем керування синхронними електроприводами з ємнісними накопичувачами енергії в контурі збудження. Розрахунок нестаціонарних режимів синхронних двигунів (СД).
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження квантової кінетики неадіабатичного донорно-акцепторного електронного переносу через молекулярний місток. Умови, за яких кінетика електронного переносу може вважатися одноекспоненційною. Експерименти по дистанційній залежності швидкості.
автореферат, добавлен 07.08.2014