Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiB

Подобные документы

• 1. Расчет полевого транзистора Шоттки на основе гидродинамической модели

  Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
  
  статья, добавлен 26.10.2016
  

• 2. Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN

  Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
  
  автореферат, добавлен 26.07.2014
  

• 3. Физические основы микроэлектроники

  Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
  
  учебное пособие, добавлен 13.09.2017
  

• 4. Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs та InAs/AlSb наноструктур

  Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
  
  автореферат, добавлен 30.10.2015
  

• 5. Нелинейные магнитостатические волны в слоистых структурах на основе ферромагнитных пленок

  Применение металлических экранов в слоистых структурах и управление местоположением областей модуляционной неустойчивости за счет изменения расстояния между пленками и способа возбуждения структуры. Связанные и параметрические колебания в электронике.
  
  статья, добавлен 07.11.2018
  

• 6. Микроскопическое исследование рельефа поверхности композитов на основе полиэтилена высокой плотности и наполнителей GaAs и GaAs

  Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
  
  статья, добавлен 21.06.2018
  

• 7. Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN

  Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
  
  автореферат, добавлен 26.09.2015
  

• 8. Электрические контакты

  Особенности работы контактов в режиме протекания тока короткого замыкания. Конструкции твёрдометаллических контактов, их работа и износ. Нагрев контактов в режиме длительного протекания номинального тока. Основные материалы электрических контактов.
  
  учебное пособие, добавлен 23.06.2013
  

• 9. Влияние неоднородного распределения электрически активных примесей на перенос носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки

  Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
  
  статья, добавлен 30.05.2017
  

• 10. Гетеропереходы и гетероструктуры

  Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
  
  презентация, добавлен 10.12.2021
  

• 11. Зависимость контактного и переходного сопротивления от силы контактного нажатия для электрических контактов

  Понятие электрических контактов. Соприкосновение поверхностей контактов. Исследование переходного сопротивления трёх пар контактов. Зависимость сопротивления от силы нажатия для точечного, линейного и поверхностного контактов из серебра, стали и меди.
  
  лабораторная работа, добавлен 08.05.2015
  

• 12. Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb наноструктур

  Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
  
  автореферат, добавлен 27.08.2014
  

• 13. Властивості плівок gan, отриманих на поруватому gaas метом нітридизаціїї

  Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
  
  автореферат, добавлен 29.09.2014
  

• 14. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами

  Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
  
  автореферат, добавлен 25.08.2014
  

• 15. Расчет токового реле

  Материал и конструктивная форма коммутирующих контактов. Необходимые силы нажатия контактов, их температуры, переходные сопротивления, падение напряжения при номинальном токе. Определение размеров, параметров электромагнита, площадь торца сердечника.
  
  курсовая работа, добавлен 21.09.2015
  

• 16. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6

  Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
  
  автореферат, добавлен 21.11.2013
  

• 17. СВЧ свойства неравновесных джозефсоновских контактов в субмикронных и слоистых сверхпроводниках

  Анализ динамики цепочки одинаковых контактов при внешнем сверхчастотном воздействии (ступеньки Шапиро). Рассмотрение динамики системы двух контактов с существенно разными параметрами, где имеет место эффект усиления джозефсоновских осцилляций.
  
  статья, добавлен 04.11.2018
  

• 18. Шари складних сполук на поверхні Cu, GaAs та ZnSe, утворення яких індуковано жорстким ультрафіолетовим випромінюванням (100-300 нм) у атмосфері хлору

  Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
  
  автореферат, добавлен 12.07.2014
  

• 19. Классификация светодиодов

  Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
  
  реферат, добавлен 22.04.2014
  

• 20. Влияние содержания германия и поверхностных состояний на свойства переходов металл - Si1-xGex, на основе Al, Au, Ni и Ti

  Выращивание методом зонной плавки и исследование электрофизических параметров монокристаллов твердых растворов. Измерение вольтамперных, вольтемкостных, спектральных и других характеристик контактов. Изучение влияния содержания германия на контакты.
  
  автореферат, добавлен 24.05.2018
  

• 21. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами

  Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
  
  автореферат, добавлен 28.10.2015
  

• 22. Монте-Карло исследование эффектов старения в трехпленочных магнитных структурах

  Численное исследование методом Монте-Карло особенностей неравновесного поведения в мультислойной магнитной структуре с магнитными пленками различных толщин, описываемыми анизотропной моделью Гейзенберга. Анализ полученной двухвременной зависимости.
  
  статья, добавлен 02.02.2019
  

• 23. Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу

  Розрахунок на основі моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини, температурної залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини з різною концентрацією бар’єрного наноматеріалу.
  
  статья, добавлен 23.12.2016
  

• 24. Спектры фотолюминесценции и плазменного отражения коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs

  Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.
  
  статья, добавлен 18.09.2018
  

• 25. Контактные явления в полупроводниках

  Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
  
  реферат, добавлен 08.04.2014
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к подобным работам