Электротехника с основами электроники
Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
Подобные документы
Классические теории композитных конструкций при решении задач расчета напряженно-деформированного состояния многослойных пластин. Определение областей геометрических параметров пластин и колец; физико-механические характеристики композиционных материалов.
статья, добавлен 29.10.2018Изучение основных законов и методов расчёта линейных электрических и магнитных цепей. Принципы функционирования трансформаторов, электрических машин постоянного и переменного тока. Организация сетевого питания. Работа основных полупроводниковых приборов.
курс лекций, добавлен 16.11.2015- 103. Основы физики
Закон изменения тока в цепи. Расчет посредственности импульсов при помощи функции Хэвисайда. Определение проводимости цепи; его зависимость от частоты. Нахождение сопротивления параллельного и последовательного соединения резистора и конденсатора.
контрольная работа, добавлен 11.05.2018 Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.
реферат, добавлен 29.08.2015- 105. Электротехника
Применение законов Кирхгофа для расчета электрических цепей. Особенности трехфазных трансформаторов. Последовательное соединение индуктивности и активного сопротивления. Устройство сердечника (магнитопровода) и обмоток. Метод эквивалентного генератора.
шпаргалка, добавлен 08.02.2012 Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Понятие кристаллизации как процесса фазового перехода вещества из жидкого состояния в твёрдое кристаллическое с образованием кристаллов. Характеристика фазовой диаграммы, специфика изменения агрегатных состояний и внутренней энергии при теплообмене.
презентация, добавлен 28.08.2014Исследование параметров ступенчатого секционного стабилизатора типа "коробчатый щит". Основы автоматизации производственных процессов в гидромелиорации. Определение параметров стабилизатора расхода воды при различных глубинах в верхнем бьефе от напора.
статья, добавлен 19.05.2018Расчет числа компонентов системы. Сущность и содержание диаграммы плавкости. Метод Розебума для определения состава трехкомпонентной системы. Удельная электрическая проводимость. Процессы на границе металл-раствор, формирующие двойной электрический слой.
контрольная работа, добавлен 10.12.2011- 110. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Изучение методики использования прибора наблюдения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, входных, выходных, передаточных и иных статических характеристик цифровых и аналоговых схем. Составление электрической схемы подключения инвертора.
лабораторная работа, добавлен 12.11.2011Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Определения и топологические параметры электрических цепей. Применение закона Ома, закона Кирхгофа для их расчета. Анализ цепей постоянного и переменного тока. Баланс мощностей. Расчет магнитных цепей. Машины постоянного тока. Основы цифровой электроники.
тест, добавлен 19.09.2017Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Схема построения мостового выпрямителя, определение амплитуды пульсаций выходного напряжения и коэффициента сглаживания фильтра. Характеристика среды схемотехнического моделирования Electronics WorkBench. Применение однополупериодной схемы выпрямителя.
лабораторная работа, добавлен 15.01.2016Исследование диэлектрической проницаемости и потерь изолирующих материалов, помещенных в твёрдое поле с применением метода вариации активной проводимости. Расчет параметров диэлектриков. Свойства и применение фторопластов, оргстекла, эбонитов, винипласта.
лабораторная работа, добавлен 09.03.2018Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
реферат, добавлен 19.05.2017Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Основные положения теории электрических цепей. Изучение линейных электрических цепей постоянного тока. Описание основных методов, принципов, теорем расчета электрических цепей. Анализ особенностей передачи энергии от активного двухполюсника нагрузке.
учебное пособие, добавлен 17.11.2014Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.
методичка, добавлен 30.03.2016- 124. Свойства фуллеренов
Методы получения и разделения фуллеренов. Основные представления о их симметрии. Диаграмма энергетических уровней молекулы С60. Кристаллические модификации фуллеритов, понятие об интеркаляции. Оптические свойства фуллеренов: проводимость и полимеризация.
курсовая работа, добавлен 22.10.2010 Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013