Полупроводниковый детектор
Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
Подобные документы
Механизмы взаимодействие альфа-частиц с веществом. Энергетическое разрешение полупроводникового детектора. Спектрометрические и нейтронные детекторы. Расчет пробега частиц. Моделирование прохождения элементарных частиц через вещество, метод Монте-Карло.
курсовая работа, добавлен 18.10.2017Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Властивості мікростріпових сенсорів, призначених для внутрішньої трекової системи детектора. Перевірка надійності алгоритмів обробки сигналу від детектора, програмні блоки для обробки його сигналу. Основи складання модулів мікростріпового детектора.
автореферат, добавлен 26.09.2015Ознакомление со специфическими особенностями энергетического разрешения полупроводникового детектора. Рассмотрение и характеристика структуры спектрометрических и нейтронных детекторов. Исследование и анализ потерь энергии на фотоядерные взаимодействия.
курсовая работа, добавлен 12.11.2015Описание конструкции прототипа сцинтилляционного детектора. Результаты его испытаний на пучке протонов. Зависимость амплитуды диода от положения частицы в детекторе Оценка эффективности регистрации нейтронов для разных значений потерь их энергии.
статья, добавлен 31.10.2018Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Поиск способов регистрации актов взаимодействия или распада частиц. Исследование Ч. Вильсоном процесса образования облаков. История создания английским учёным трекового детектора элементарных заряженных частиц. Принцип действия пузырьковой камеры.
реферат, добавлен 21.11.2022Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016Разработка метода отбора кристаллов синтетического алмаза, пригодных для детектирования заряженных частиц. Особенности процедуры металлизации алмазных пластин, обеспечивающих адгезию и омический контакт. Измерение длины сбора заряда алмазного детектора.
автореферат, добавлен 19.08.2018Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Образование вторичных сигналов при взаимодействии электронов с веществом мишени. Формирование электронного пучка. Устройство детектора Эверхарта-Торнли. Принцип действия детектора излучения катодолюминесценции. Регистрация рентгеновского излучения.
реферат, добавлен 12.09.2020Рассмотрен метод коррекции динамической погрешности инерционного детектора по теплопроводности с передаточной функцией, имеющей вид апериодического звена первого порядка. Приведен пример коррекции сигнала детектора по теплопроводности конкретного типа.
статья, добавлен 01.08.2017Классификация методов регистрации ионизирующих излучений. Общие характеристики детекторов. Коэффициент газового усиления в области пропорционального счета. Принцип работы счетчика Гейгера-Мюллера. Траектория движения частицы в пузырьковой камере.
реферат, добавлен 15.02.2014Исследование конструкции и электрофизических параметров микрострипового детектора частиц и излучений. Анализ технологии изготовления стрип-детекторов с емкостной связью с p-n переходами, резисторами и переходными конденсаторами на кремниевом кристалле.
статья, добавлен 03.10.2013Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Разработка методики прямого измерения сечения захвата радиоактивных ядер с помощью многосекционного детектора на основе спектрометрии множественности захватного гамма-излучения. Блок-схема детектора и электронного тракта. Параметры пучка нейтронов.
статья, добавлен 12.09.2013Расчёт энергетических спектров заряженных частиц и ядер отдачи при взаимодействии нейтронов с ядрами азота. Сравнение результатов расчётов интегральных сечений выходов протонов и альфа частиц с экспериментальными и рекомендованными нейтронными данными.
статья, добавлен 11.09.2022Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Движение заряженных частиц в однородном электрическом и магнитном поле. Определение удельного заряда электронов методом магнитной фокусировки и удельного заряда бета-частиц. Понятие и принцип действия анализатора импульсов, электростатической линзы.
контрольная работа, добавлен 14.08.2015Понятие пучка заряженных частиц, его действие на вещество. Основные направления использования пучков заряженных частиц. Ионная имплантация. Электронно-лучевые технологии. Математическое моделирование воздействия пучков заряженных частиц на вещество.
презентация, добавлен 11.11.2015Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
контрольная работа, добавлен 08.06.2012Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015