Поляриметрический эффект в GaAs поверхностно-барьерных структурах
Экспериментальные результаты выполненных исследований в фотоэлектрических процессах в поверхностно-барьерных структурах (барьерах Шоттки) Au-n-GaAs в линейно-поляризованном излучении. наклонное падение излучения на приемную плоскость структур.
Подобные документы
Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Аналіз температурно-часових характеристик процесу термообробки монокристалів напівізолюючого нелегованого GaAs з різною стехіометрією й структурою дислокацій. Розробка технологічних режимів керування електрофізичними параметрами епітаксійних шарів GaAs.
автореферат, добавлен 30.07.2015Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
статья, добавлен 26.09.2014- 5. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 - 6. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Анализ конструкции приемников излучения фотоэлектрических дaтчиков. Изучение сфер применения фотоэлектрических дaтчиков. Фотоэлектрические датчики Autonics. Классификация фотоэлектрических датчиков. Основные характеристики фотоэлектрических датчиков BTF.
реферат, добавлен 22.11.2018Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
автореферат, добавлен 28.09.2015Технология поверхностного монтажа. Применение новейшей элементной базы – поверхностно-монтируемых элементов. Преимущество данной технологи. Виды корпусов микросхем. Варианты практической реализации технологии. Типовая схема практической реализации.
реферат, добавлен 21.11.2008Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Математична модель розсіяння нестаціонарних радіохвиль на багатошарових ґрунтових структурах з поглинанням і дисперсією. Аналіз фізичних особливостей полів, розсіяних ґрунтовими структурами (як однорідними, так і з характеристиками, що змінюються).
автореферат, добавлен 20.04.2014- 13. Радіовимірювальні прилади на основі ємнісного ефекту в транзисторних структурах з від’ємним опором
Радіовимірювальні прилади, вимоги до них з позиції сучасних напрямів розвитку радіоелектроніки. Розробка нелінійних математичних моделей генераторів прямокутних імпульсів і лінійно змінної напруги на польовій та біполярній транзисторних структурах.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Анализ результатов экспериментальных исследований по вариации параметров ионосферного коротковолнового сигнала, во время магнитной активности в сентябре 2017 года, по данным линейно частотной модуляции наклонного зондирования ионосферного канала.
статья, добавлен 02.04.2019Математична модель явища міжтипового зв'язку власних електромагнітних коливань у відкритих електродинамічних структурах. Методи спектральної теорії скінченномероморфних оператор-функцій для доведення дискретності і скінченної кратності спектру частот.
автореферат, добавлен 18.04.2014Анализ принципов построения аналогово-цифровых преобразователей, их типы, классификация, характеристика, применение в системах управления, контроля и цифровой обработки сигналов. Проектирование основных блоков сигма-дельта модулятора на КМОП-структурах.
дипломная работа, добавлен 04.03.2016Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018- 19. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Закономерности внешнего и внутреннего фотоэффекта. Принцип действия, устройство и конструкция фотоэлементов, фоторезисторов, фотодиодов и гибридных приемников. Параметры и характеристики фотоэлектрических приемников излучения, аспекты их применения.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Авиационная аппаратура строчного типа. Преобразователи излучения инфракрасного в видимое, основанные на использовании фотоэлектрических и пироэлектрических приемников излучения. Сигнал, снимаемый с фотоприемника. Способы формирования изображения.
курсовая работа, добавлен 19.03.2013Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
курсовая работа, добавлен 19.07.2010Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018