Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів
Удосконалення оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів. Аналіз методу підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації інжекційного підсилення.
Подобные документы
Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
автореферат, добавлен 28.09.2015Вивчення особливостей та фізичних закономірностей поширення і випромінювання імпульсних сигналів. Розвиток існуючих та створення нових засобів для випромінювання надкоротких імпульсних сигналів із застосуванням нових методів аналізу у часовій області.
автореферат, добавлен 29.07.2014Структурна схема радіометричного вимірювача інтенсивності оптичного випромінювання на основі модуляційного перетворення параметра вхідного сигналу. Періодичне порівняння та оцінка чутливості і точності сигналів опорного та вимірювального фотодіодів.
статья, добавлен 13.02.2016Відображення однієї і пропуск іншої частини спектру випромінювання - принцип дії дихроічного фільтру. ПЗС-матриця - аналогова інтегральна мікросхема, що складається з світлочутливих фотодіодів і використовує технологію приладів із зарядовим зв'язком.
курсовая работа, добавлен 04.06.2015Розробка рідкокристалічних оптоелектронних пристроїв для координатного переміщення оптичного випромінювання. Текстурний та фазовий перехід в рідких кристалах. Розкручування гелікоїда за наявності температурного градієнта, електричного і магнітного полів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання.
статья, добавлен 27.02.2016Система автоматичного регулювання підсилення РРС Р-419, її основний недолік. Аналіз трактів передачі та прийому. Призначення субблоку підсилювача проміжної частоти (ППЧ). Схема реалізації вхідного пристрою, переваги модернізованих систем цифрових АРП.
контрольная работа, добавлен 25.01.2010- 9. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 10. Моделі, методи та компоненти для комп’ютерних систем пожежних сигналізацій на базі технології ZigBee
Підвищення ефективності роботи пожежних сигналізацій шляхом вдосконалення бездротових комп’ютерних систем пожежних сигналізацій за рахунок розробки нових моделей, методів та компонентів стельових та настінних сигналізацій на базі технології ZigBee.
автореферат, добавлен 30.07.2015 Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Підвищення точності вимірювання витрати ультразвуковими витратомірами з кількома акустичними каналами. Дослідження впливу спотвореної структури потоку (у вигляді формули швидкості Salami Р9) на похибку інтегрування, її розрахунок методом Гаусса-Якобі.
статья, добавлен 23.09.2016Дослідження розвитку комплексних уявлень про фізичні явища, що супроводжують процес термофотовольтаїчних перетворень. Розробка технічних засобів удосконалення систем перетворення інфрачервоного випромінювання високотемпературних технологічних процесів.
автореферат, добавлен 23.08.2014Розробка ряду нових спектральних методів виявлення сигналів, які забезпечують підвищення тактико-технічних характеристик радіолокаційних систем при їх модернізації. Аналіз та методи вдосконалення алгоритмів обробки радіолокаційної інформації в АСУР.
автореферат, добавлен 18.10.2013Особливості глобальних змін в публічній сфері. Концепції взаємодії з користувачем послуг, за рахунок впровадження нових технологічних рішень на базі цифрових технологій. Аналіз кількості користувачів, які мають доступ до ресурсів глобальної мережі.
статья, добавлен 29.12.2023Аналіз методів підвищення стабільності середньої частоти частотного модулятора на базі кварцевих генераторів з використанням керуючого елемента варикапа та генераторів на поверхневих акустичних хвилях, врахування виробничо-технологічних відхилень.
автореферат, добавлен 30.07.2015Структура зображень, візуалізованих інфрачервоною оптоелектронною системою медичного призначення. Підвищення діагностичної інформативності термограм. Способи компресії зображень. Використання оптоелектронних систем для обстеження онкологічних хворих.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016- 20. Модифікація структури та властивостей міднофосфатного скла у полі електромагнітного випромінювання
Дослiдження змiн в структурi скла пiд впливом електромагнітного випромінювання, оптимiзацiя режимiв його обробки. Розробка методу модифікації структури і властивостей мiднофосфатного скла, встановлення оптимальних параметрiв електромагнітного опромiнення.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
автореферат, добавлен 28.08.2015Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Побудова цифрових схем реєстрації імпульсів за допомогою тригерів. Проектування лічильника на базі ППП OrCAD. Обґрунтування вибору оптимальної реалізації. Визначення мінімального періоду функціонування. Визначення часу двійково-десяткової реєстрації.
курсовая работа, добавлен 13.04.2015Розробка математичної моделі для дослідження впливу фонового випромінювання на МПФ ОС та параметри розсіяного випромінювання, які впливають на МПФ. Розробка алгоритмів та експериментальне вимірювання функцій розсіювання випромінювання в елементах ОС.
автореферат, добавлен 12.02.2014Удосконалення моделі реєстрації оптичного випромінення. Вплив оптико-електронної апаратури та параметрів управління процесом реєстрації оптичного випромінення на якість отримуваних зображень. Дискретна модель фоноцільової обстановки в районі знімання.
статья, добавлен 29.07.2016