Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

Розробка методики вимірювання параметрів потужних НЕМТ та вивчення їх фізичних процесів на основі гетеропереходів AlGaN/GaN, що виникають при опроміненні г-квантами. Причини зміни параметрів ВАХ НЕМТ та шумових характеристик і можливості управління ними.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.