Полевой транзистор
Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
Подобные документы
Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015- 20. Схемотехника усилителей электрических сигналов с использованием биполярных и полевых транзисторов
Принцип работы усилителя электрических сигналов, основные его характеристики. Особенности изменения их значений с увеличением напряжения питания. Исследование специфики схемотехники этого устройства с использованием биполярных и полевых транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 13.08.2013 Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011