Процессы диффузии и дрейфа в полупроводниках
Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
Подобные документы
Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
статья, добавлен 30.04.2018Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Сущность и описание процесса диффузии. Закономерности протекания диффузии. Определение роли диффузии в получении растворов. Практическое применение осмоса. Применение диффузии в технике и в повседневной жизни. Анализ вредных проявлений диффузии.
практическая работа, добавлен 05.12.2018Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Явления диффузии, теплопроводности, вязкости. Определение вязкости и теплопроводности идеального газа, расчет коэффициента диффузии. Ультраразреженные газы, эффузия. Броуновское движение; уравнение Ланжевена. Перенос ионов через биологические мембраны.
шпаргалка, добавлен 10.11.2017Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.
презентация, добавлен 29.08.2015Преобразования системы уравнений диффузии радиоизотопа и солености жидкости. Модель диффузионного перенос твердого вещества, растворенного в жидкой среде. Анализ критериев подобия диффузии для полей концентрации твердого вещества в подвижной жидкости.
статья, добавлен 28.05.2017- 13. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013 Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Составляющие механизма диффузии молекул растворителя в полимерной мембране. Скорость термически активированной диффузии. Источник переноса молекул растворителя. Особенности модинамических и кинетических процессов, протекающих в полимерных мембранах.
статья, добавлен 27.07.2016Законы молекулярной теплопроводности и диффузии. Кинематика и гидродинамика жидкости. Гидродинамический пограничный слой и стационарные процессы переноса тепла и растворенного вещества. Нестационарные процессы теплопроводности и диффузии в твердом теле.
учебное пособие, добавлен 08.05.2014История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Методы измерений малых постоянных и медленно изменяющихся напряжений и токов. Расчёт дрейфа нулевого уровня. Определение чувствительности работы частотного прибора и цены деления потенциометра. Вычисление коэффициента ослабления помехи нормального вида.
лабораторная работа, добавлен 03.02.2015Рассмотрение диффузии в решеточном газе. Вывод выражений для потока и коэффициентов диффузии. Изучение совпадений и отклонений направления градиента и линий решетки. Качественные свойства диффузии в решеточном газе при больших градиентах концентраций.
статья, добавлен 30.08.2020Рассмотрение сущности физического явления "диффузии". Процесс проникновения частиц (молекул, атомов, ионов) одного вещества между частицами другого вещества вследствие хаотичного движения. Изучение роли диффузии в пищеварении и дыхании человека.
доклад, добавлен 05.06.2014Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Скорость процесса диффузии веществ из одного твердого тела в другое при их тесном контакте. Контакт жидкости или газа с твердым телом. Основные механизмы обмена атомов местами. Наблюдение диффузии (кристаллизации). Особенности диффузии растворов.
реферат, добавлен 05.04.2017