Будова та принцип дії біполярних транзисторів
Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, здатний підсилювати потужність. Загальні відомості про біполярні транзистори, їх будова та принцип дії. Класифікація, маркування, режими роботи та використання транзисторів.
Подобные документы
Історія винаходу біполярного транзистора. Будова, принцип дії та класифікація. Позначення типу. Режими роботи: активний; інверсний; насичення; відсічки. Використання транзисторів в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах.
реферат, добавлен 07.10.2019Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.
лекция, добавлен 26.03.2014Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.
статья, добавлен 29.09.2016Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Математична модель біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора. Частотні мікроелектронні перетворювачі магнітного поля на основі трьох біполярних, МДН- та біполярного транзисторів з активним індуктивним елементом. Оцінка похибок вимірювання.
автореферат, добавлен 28.09.2014Розгляд теорії щілинних антен складної форми. Характеристики польових та біполярних транзисторів. Розроблення генераторів у діапазоні сантиметрових та міліметрових довжин хвиль. Використання об’ємних хвилеводів, резонаторів та квазіоптичних конструкцій.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 15. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Загальні відомості про силові кабелі, їх типи та марки. Будова силових кабелів, умовне позначення, захисне покриття та зовнішній кабельний покрив. Окінцювання і з’єднання жил проводів та кабелів. Техніка безпеки при виконанні електромонтажних робіт.
контрольная работа, добавлен 14.03.2010Класифікація електричних датчиків. Призначення, принцип дії та конструкції потенціометричних датчиків. Принцип дії та будова дротових тензодатчиків. Матеріали для виготовлення п'єзоелектричних датчиків. Типи електромагнітних та ємнісних датчиків.
курсовая работа, добавлен 20.08.2015Значення відкриття електромагнітних хвиль. Біографічні відомості та наукова діяльність О.С. Попова. Дослідження дії динамоелектричної машини, її використання. Процес винайдення радіоприймача та грозовідмітчика. Будова та принцип дії першого радіо.
реферат, добавлен 08.02.2013Вибір типу транзисторів та схеми їх включення. Характеристика режимів роботи по постійному та змінному струму. Визначення коефіцієнта нелінійних спотворень вхідного сигналу та напруги джерела живлення підсилювача. Електричний розрахунок трансформатора.
курсовая работа, добавлен 13.11.2017Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
лекция, добавлен 15.03.2016Визначення поняття та значення автомобільного адаптера. Розгляд принципу роботи схеми пристрою. Вибір і обґрунтування мікросхеми стабілізатора напруги, транзисторів. Проектування печатної плати. Розрахунок надійності виробу. Оформлення маршрутних карт.
курсовая работа, добавлен 30.08.2014Класифікація та порівняльна характеристика звукових плат різних типів. Технічні характеристики звукових плат. Одноконтурні схеми автогенераторів на транзисторах та принципи роботи фазозсуваючого ланцюга. Принцип отримання релаксаційних автоколивань.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Аналіз шумових характеристик сучасних надвисокочастотних польових транзисторів та шляхів їх оптимального використання у підсилювальних пристроях дециметрового діапазону електромагнітних хвиль. Методи зниження шумової температури підсилювачів до 10 К.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013