Термістори і фоторезистори
Номінальний опір, інтервал робочих температур, максимально припустима потужність розсіювання - основні параметри терморезистора. Фотопровідність — фізичне явище, що визначається у зменшенні опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом.
Подобные документы
Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току та формули їхнього розрахунку. Основні фізичні характеристики, параметри та основні типи фотоприймачів. Застосування і перспективи фотоприймачів у різних галузях побуту та виробництва.
реферат, добавлен 05.06.2009Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
статья, добавлен 17.05.2020Визначення реальних параметрів сонячного елементу та рекомбінаційних втрат, зумовлених рекомбінацією носіїв заряду на фронтальній і тильній поверхнях поглинаючого шару, в його нейтральній частині та області просторового заряду p-n гетеропереходу.
статья, добавлен 13.01.2017Математична модель багатопроменевої сферичної дзеркальної антени зі спіральними випромінювачами різної конфігурації. Геометричні параметри випромінювача та його положення щодо дзеркала. Дослідження характеристик вхідного опору спіральних структур.
автореферат, добавлен 28.09.2015Структура кабельної лінії та її характеристика. Основні параметри системи передачі К-1920. Характеристика елементів конструкції кабелю, його ескіз. Первинні та вторинні параметри передачі коаксіального кабелю. Розрахунок активного опору провідників.
курсовая работа, добавлен 06.11.2016Общие основы работы измерительных преобразователей температуры. Описание физических основ работы терморезистора. Методика градуировки полупроводникового терморезистора. Классификация, принцип действия, применение и схемы включения терморезисторов.
реферат, добавлен 19.09.2016Розробка інтелектуальної системи аналізу та нейромережевого прогнозування споживання заряду акумуляторної батареї для автоматизованих транспортних засобів. Дослідження типів АКТЗ та методи ефективного прогнозу споживання заряду їх акумуляторної батареї.
статья, добавлен 24.03.2024Розробка структур високоточних швидкодіючих самокаліброваних аналого-цифрових перетворювачів порозрядного врівноваження з перерозподілом заряду, зменшення статичних похибок. Розробка та оцінка рекомендацій щодо проектування АЦП з перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2013- 11. Механізми збудження коливань у магнетронах на просторовій гармоніці з вторинно-емісійним катодом
Розробка математичної та комп’ютерної моделей допоміжного термокатоду, що враховує вплив поля просторового заряду на роботу магнетрона. Дослідження закономірностей та характеристик холодного запуску магнетронів за допомогою модуляції анодної напруги.
автореферат, добавлен 17.07.2015 Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015Підтвердження високої довгострокової стабільності параметрів платинових сенсорів. Доцільність індивідуального калібрування сенсорів на міжповірочний інтервал часу. Формули оцінки необхідної точності визначення індивідуальних значень параметрів сенсорів.
статья, добавлен 28.09.2016Методика розрахунку потужності розсіювання на колекторі одного транзистора. Визначення опору резистора емітерної стабілізації. Аналіз схеми вхідного витікового повторювача. Обчислення максимального коефіцієнту підсилення операційного підсилювача.
курсовая работа, добавлен 12.07.2017Характеристика типів оптоволокна. Розрахунок параметрів одномодового оптичного волокна. Втрати на розсіювання, втрати у волокні, міжмодова дисперсія, межі зміни хвильового опору. Визначення якостей сигналу для випадку "безретрансляційної" передачі.
курсовая работа, добавлен 17.04.2021Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
контрольная работа, добавлен 12.05.2016Розробка установки для дослідження термостимульованої люмінесценції. Аналіз кінетичних параметрів центрів локалізації носіїв заряду та характеристик центрів рекомбінації, що призводять до люмінесценції. Поєднання лінійного нагрівання, фракційного відпалу.
статья, добавлен 29.09.2016Загальна характеристика устрою польових транзисторів із горизонтальною і вертикальною структурами. Принципова схема резонансного генератора із зовнішнім збудженням на транзисторі. Розрахунок параметрів режиму стокового ланцюга на робочих частотах.
контрольная работа, добавлен 27.03.2011- 20. Розрахунок функції розподілу вихідного сигналу об’єкта контролю при визначенні його технічного стану
Вирішення проблеми розробки методик контролю параметрів технічних систем з метою визначення їх фактичного стану та часу наступного контролю. Визначення функцій розподілу параметрів вихідного сигналу об’єкту контролю. Зразковий номінальний сигнал.
статья, добавлен 14.07.2016 Розробка математичної моделі для дослідження впливу фонового випромінювання на МПФ ОС та параметри розсіяного випромінювання, які впливають на МПФ. Розробка алгоритмів та експериментальне вимірювання функцій розсіювання випромінювання в елементах ОС.
автореферат, добавлен 12.02.2014Аналіз побудови радіотрактів багаточастотних широкосмугових сигналів. Основні параметри фізичного рівня стандарту 802.11a. Математичний опис сигналів фрейму. Допустимі помилки в амплітуді при модуляції. Оцінка завадостійкості: параметри, що оцінюються.
дипломная работа, добавлен 02.10.2014Визначення та класифікація конденсаторів, їх позначення за нормативними документами в Україні. Будова і принцип дії дискретного радіокомпоненту, його характеристики і параметри, області застосування. Сучасні досягнення і перспективи розвитку пристрою.
реферат, добавлен 11.03.2015Характеристика будови і принципів дії термометрів опору, електричного автоматичного мосту. Переваги термометрів оперу, особливості автоматичних та врівноважених електронних мостів. Будова логометра та платинового термометра опору, їх зовнішній вигляд.
лабораторная работа, добавлен 05.03.2018Принцип роботи, характеристики та параметри стабілітронів. Струми і напруги стабілізації. Область безпечної роботи. Характер і причини відмов. Схеми підключення стабілітронів. Дискретні стабілітрони загального призначення - силові та малої потужності.
курсовая работа, добавлен 14.12.2019