Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента

Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.

Подобные документы

  • Принцип дії, основні параметри ФЕП та методика їх вимірювання за навантажувальної характеристики. Виготовлення сонячного елементу. Імітатори сонячного випромінювання. Розгляд вольт-амперної характеристики. Відкриття явища внутрішнього фотоефекту.

    курсовая работа, добавлен 14.05.2013

  • Ознайомлення з основними видами світлових перетворювачів світлової енергії придатних для використання в текстилі. Аналіз втрат сонячного випромінювання при трансформації його в електричну енергію, що визначається фундаментальними обмеженнями фотоефекту.

    статья, добавлен 24.06.2017

  • Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.

    курсовая работа, добавлен 16.03.2016

  • Основні напрямки застосування фотоефекту у наці та техніці. Принципи дії та застосування вакуумних, напівпровідникових та вентильних фотоелементів. Фотоелементи у вигляді сонячних батарей. Застосування фотоефекту для реєстрації і зміни світлових потоків.

    презентация, добавлен 18.06.2023

  • Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.

    лабораторная работа, добавлен 16.07.2017

  • Дослідження фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.

    лабораторная работа, добавлен 16.07.2017

  • Розрахунок диференціального перерізу фотоефекту атома в деформованому електромагнітному полі, коли компоненти узагальнених координат та імпульсів підпорядковані деформованим дужкам Пуассона. Хвильові функції та енергетичні рівні деформованого поля.

    статья, добавлен 13.10.2016

  • Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.

    контрольная работа, добавлен 19.10.2012

  • Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.

    автореферат, добавлен 24.06.2014

  • Методи дослідження фізичних явищ: спостереження, експеримент, моделювання, вимірювання. Науковий метод та його основні засади. Виявлення сутності спостережуваних явищ, відкриття законів. Ю. Франклін, І. Ньютон, Галілей та їх внесок у розвиток науки.

    презентация, добавлен 26.04.2016

  • Випромінювання світла світловипромінювальним діодом. Розмір граничної частоти роботи світлодіода при внутрішньому способі модуляції. Поняття внутрішнього фотоефекту. Нерівноважні носії струму в напівпровіднику. Вольтамперна характеристика p-n-переходу.

    методичка, добавлен 24.06.2014

  • Аналіз моделі поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням, оцінка адекватності запропонованої моделі. Аналіз залежності коефіцієнта поглинання GaAs/AlGaAs при різних прикладених напругах.

    статья, добавлен 28.02.2017

  • Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку та специфіка розв’язку задач.

    курсовая работа, добавлен 08.09.2014

  • Несуттєвість високої напруги за Г. Герцем. Залежність фотоструму від інтенсивності та довжини випромінення. Фотоефектом як явище виривання електронів із речовини під дією світла. Головні закони зовнішнього фотоефекту. Робота виходу електрона із катода.

    лабораторная работа, добавлен 18.04.2013

  • Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.

    статья, добавлен 03.07.2016

  • Аналіз автоматизованого вимірювального комплексу для визначення основних електричних і енергетичних характеристик сонячних елементів та сонячних батарей. Створення математичної моделі для розрахунку енергетичних характеристик фотоелектричних систем.

    автореферат, добавлен 27.07.2015

  • Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.

    лабораторная работа, добавлен 13.07.2017

  • Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.

    курсовая работа, добавлен 29.11.2017

  • Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 12.09.2019

  • Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.

    методичка, добавлен 21.07.2017

  • Аналіз основних типів класичних багатозв’язних систем. Дослідження принципів побудови хвильових моделей дифракційного та черенковского випромінювань, загальних електродинамічних характеристик елементів зв'язку багатозв’язних квазіоптичних систем.

    автореферат, добавлен 11.08.2015

  • Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.

    лабораторная работа, добавлен 05.05.2012

  • Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.

    автореферат, добавлен 28.08.2014

  • Визначення залежностi моменту iнерцiї системи вiд розподiлу її маси вiдносно осi обертання. Визначення коефіцієнта теплопровідності твердих тіл методом регулярного режиму. Дослідження явищ електрики та магнетизму. Вивчення явищ атомної та ядерної фізики.

    учебное пособие, добавлен 19.07.2017

  • Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.

    автореферат, добавлен 10.08.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.