Розрахунок теплового режиму напівпровідникових приладів в умовах роботи у складі напівпровідникових апаратів
Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
Подобные документы
Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Особливості роботи конденсаторів тиристорних перетворювачів енергії в імпульсних режимах. Використання методу електротеплової аналогії для розрахунку нестаціонарного температурного поля конденсатора. Визначення внутрішнього теплового опору конденсатора.
статья, добавлен 30.10.2016Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014Поняття внутрішніх джерел шумів підсилювача. Оцінка впливу дефектів напівпровідникових приладів і їх локалізації на характеристики ПП. Визначення фізичних шумових джерел. Індукційні джерела сигналів ІВС. Заходи корекції параметрів роботи підсилювача.
автореферат, добавлен 15.07.2014Напрямки вивчення властивостей електровакуумних приладів надвисоких частот. Особливості напівпровідникових приладів даної категорії. Функціональні властивості та головні сфери застосування квантових приладів надвисокий частот оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013- 10. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Порівняльна оцінка режимів роботи електромагнетних перетворювачів. Метод аналізу режимів роботи напівпровідникових вентильних електромагнетних перетворювачів напруги. Застосування тиристорних перетворювачів напруги для керування мотором постійного струму.
автореферат, добавлен 29.10.2015Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка та дослідження температурної моделі самокаліброваних датчиків, аналіз їх конструкції на базі одного та двох реперних металів з нагрівачем та без нагрівача. Розробка алгоритму самокалібрування датчиків в умовах стаціонарного теплового режиму.
автореферат, добавлен 29.08.2015Методи дослідження динамічної поведінки напівпровідникових електроінжекційних лазерів і схеми з урахуванням конструктивних та технологічних параметрів та з нетрадиційними джерелами живлення, також розробка методик, алгоритмів і програм для їх моделювання.
автореферат, добавлен 27.02.2014Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розробка чисельно-аналітичної моделі теплового поля в ростовій камері. Розрахунок температурних профілів злитка GaАs LEC методом. Визначення впливу температурних полів і термопластичних напруг на утворення структурних дефектів в монокристалах GaАs.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 18. Тиристори
Будова, види та принципи дії тиристорів - напівпровідникових приладів вентильного типу, які відкривається для пропускання електричного струму при досягненні певного порогового значення напруги. Використання тиристорів в електричному колі, їх захист.
реферат, добавлен 21.12.2020 Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Особливості використання пакету програм, призначених для емуляції роботи мікропроцесорів, інших електронних пристроїв. Основні принципи роботи емулятора Proteus. Розташування елементів відповідним чином на робочому полі, з’єднання їх провідниками.
лабораторная работа, добавлен 19.08.2017Існуючі методи розрахунку динамічних режимів роботи електротехнічних пристроїв. Нелінійні динамічні математичні моделі розрахунку нестаціонарного нагрівання стержнів пускової обмотки синхронного двигуна під час пуску і механічних напружень у них.
автореферат, добавлен 19.04.2014Підбір двигуна та перевірка режиму його роботи. Розрахунок його основних вузлів (валів, зубчастих коліс, фрикційної муфти, підшипників), міжосьових відстаней. Кінематичний та силовий розрахунок. Геометричні параметри вузлів редуктора, його компоновка.
курсовая работа, добавлен 05.06.2020