Исследование характеристик полупроводникового чувствительного элемента с тензорезисторами из высокоомного кремния
Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
Подобные документы
Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Изучение возможности конструирования пассивных датчиков на поверхностных акустических волнах для определения параметров газовых сред. Исследование спектров катодолюминесценции наностержней оксида цинка в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.
статья, добавлен 30.05.2017Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Рассмотрение основных процессов, происходящих внутри солнечного элемента при преобразовании оптического излучения в электроэнергию. Анализ основных оптических потерь. Оценка спектральной зависимости показателя поглощения для кремния и арсенида галлия.
статья, добавлен 02.02.2019Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018Электромагнитные амперметры и описание чувствительного элемента. Методика расчета параметров прибора, схемы включения и погрешности. Снятие измерений и расчет вариации показаний амперметра. Измерение тока импульсов различной длительности и частоты.
дипломная работа, добавлен 07.08.2013Принцип действия полупроводниковых сенсоров газов. Физико-химические превращения, происходящие в процессе электроискровой обработки адсорбента. Исследование особенностей модификации состава и структуры поверхности кремния электроискровой обработкой.
статья, добавлен 30.05.2017Выбор исполнительного двигателя и редуктора, чувствительного элемента следящей системы. Технические данные вращающихся трансформаторов. Выбор преобразовательного элемента. Выбор и расчет усилителя для следящей системы. Анализ параметров транзисторов.
курсовая работа, добавлен 01.11.2016Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2013Схема фотоэлектрического модуля на основе кремниевого матричного солнечного элемента с линзой Френеля в качестве концентратора. Бесхлорная технология получения кремния для МСЭ. Глобальная солнечная энергетическая система. Использование энергии биомассы.
статья, добавлен 02.02.2019- 16. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Основы технологии выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава без формообразователя. Расчёт процессов теплопереноса в системе "полый цилиндрический кристалл-расплав" в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла.
автореферат, добавлен 14.08.2018 Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
реферат, добавлен 24.12.2016Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015Рассмотрение кремния как элемента, обладающего полупроводниковыми свойствами. Изучение технологии изготовления кремниевого фотоэлемента. Характеристика конструкции солнечных батарей. Эффективность солнечных батарей в России, оценка перспективы развития.
реферат, добавлен 19.01.2017Изучение принципа преобразования солнечной энергии в электрическую. Исследование основных технических характеристик фотоэлектрической батареи. Исследование характеристик холостого хода солнечного элемента. Определение вольтамперного солнечного модуля.
лабораторная работа, добавлен 27.11.2014Изучение классификации приборов для измерения давления и разрежения по типу чувствительного элемента. Анализ устройства, принципа действия и областей применения приборов с упругими пружинными чувствительными элементами: манометра, вакуумметра, тягомера.
реферат, добавлен 09.02.2012Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Изготовление тепловых интерференционных фильтров на основе слоев двуокиси гафния с показателем преломления n = 2,0 и двуокиси кремния с n = 1,45. Разработка фильтров с высоким пропусканием в видимой области спектра за счет использования слоев кремния.
творческая работа, добавлен 30.11.2018Исследование модели электромагнитного взаимодействия чувствительного элемента с торцами лопаток рабочего колеса компрессора и турбины. Определение и обоснование количественных оценок влияния осевых смещений рабочего колеса компрессора и турбины.
статья, добавлен 31.08.2018Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014