Зміна електрофізичних характеристик монокристалів n-ge під дією високоенергетичного електронного опромінення
Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
Подобные документы
Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
статья, добавлен 07.10.2013Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015З’ясування впливу попереднього опромінення на преципітацію кисню в кремнії. Підвищення стійкості кремнію для твердотільних детекторів ядерних випромінювань. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості кремнію після нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Залежність критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Аналіз залежності критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Аналіз оптичних, люмінесцентних та світлотехнічних якостей монокристалічних плівок і монокристалів оксидів із структурою гранату та перовскіту з різними типами домішок. Візуалізація рентґенівських зображень з високою просторовою роздільною здатністю.
автореферат, добавлен 26.09.2015Роль фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичного відгуку монокристалів LiB3O5, b-BaB2O4 та Li2B4O7 та вироблення рекомендацій для прогнозування параметрів цих матеріалів. Структура ІЧ спектрів відбивання та спектрів розсіювання монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у нових об’єктах – монокристалах тетрабората літію, активованих електроними іонами. Вивчення впливу активації рідкісноземельними елементами монокристалів ТБЛ на їх термостимульовану люмінесценцію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Деформаційна залежність від пружного вигину, повної інтегральної відбивної здатності монокристалів з випадково розподіленими дефектами. Теорія розсіяння випромінювань у кристалах. Характер розподілу дифрагованої інтенсивності у просторі оберненої гратки.
автореферат, добавлен 07.08.2014Взаємозв'язок інтегральних характеристик динамічного розсіяння Х-променів, температурних спектрів поглинання пружної енергії зі змінами дефектної структури опромінених монокристалів кремнію високоенергетичними електронами в процесі природного старіння.
автореферат, добавлен 06.07.2014Теорія деформаційного потенціалу й експериментальних даних поздовжнього п’єзоопору в кристалографічному напрямку сильнолегованих монокристалів германію в області виключно іонного розсіювання. Розрахунок ефективної маси густини станів для 1-мінімуму.
статья, добавлен 25.03.2016Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014