Операційний контроль формоутворення напівпровідникових пластин у виробництві приладів електронної техніки
Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
Подобные документы
Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 4. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 8. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Анализ особенностей применения классической теории пластин в динамических задачах. Изучение особенностей учета инерции вращения и сдвига элемента. Анализ системы сингулярных интегро-дифференциальных уравнений. Характеристика теории пластин Тимошенко.
статья, добавлен 13.01.2020Дослідження умов переносу нерівноважних дірок і стабілізації процесу формування макропор протягом електрохімічного травлення кремнієвих пластин при зона-зонному освітленні. Вивчення структури, хімічного складу та фотолюмінесценції поверхні макропор.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розробка моделі електромагнітної взаємодії поля котушки вихрострумового перетворювача з полем вихрових струмів, наведеним в струмопровідному об’єкті контролю. Побудова алгоритмів розрахунку внесених параметрів для струмопровідних пластин і конструкцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Методи дослідження динамічної поведінки напівпровідникових електроінжекційних лазерів і схеми з урахуванням конструктивних та технологічних параметрів та з нетрадиційними джерелами живлення, також розробка методик, алгоритмів і програм для їх моделювання.
автореферат, добавлен 27.02.2014Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження та визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Розробка цифрової нелінійної моделі генерації випромінювання імпульсними рентгенівськими трубками.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
статья, добавлен 27.07.2016Рассматриваются моющие рабочие позиции автоматических линий фотолитографии. Модернизация оборудования на базе линий фотолитографии на платах тонкопленочных микросборок и пластин с интеграцией генераторов пены, представляющих собой мехатроннное устройство.
статья, добавлен 29.12.2020Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Напрямки вивчення властивостей електровакуумних приладів надвисоких частот. Особливості напівпровідникових приладів даної категорії. Функціональні властивості та головні сфери застосування квантових приладів надвисокий частот оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Розробка структурної схеми та мікропрограми операційного автомату, синтез операційних елементів. Розрахунок навантаження елементу ЕЗЛ, часові діаграми. Параметри, логічні схеми та описання ІС, що використовуються. Характеристики транзисторів та діодів.
курсовая работа, добавлен 19.07.2013Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014Створення інформаційної моделі, яка містить комплекс програм комп’ютерного моделювання процесів вихорострумового контролю об’єктів. Розробка методики проектування перетворювачів прохідного та накладного типів для покращення характеристик дефектоскопів.
автореферат, добавлен 15.11.2013