Інтегральнi формувачі потужних наносекундних iмпульсiв i радiоелектроннi пристрої на їх основі
Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
Подобные документы
Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.
лекция, добавлен 26.03.2014Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розрахунок і розробка топології та конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури у виді гібридних інтегральних схем, а також технологічного маршруту їхнього виробництва відповідно до заданої в завданні принципової електричної схеми.
курсовая работа, добавлен 25.04.2012Аналіз процесу перетворення оптичного опромінювання в електричні сигнали. Пристрої обробки інформації. Дослідження транзисторних комбінованих елементів і пристроїв автоматики. Коефіцієнти максимально-досяжного підсилення потужності та стійкості УПІ.
автореферат, добавлен 10.09.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.
контрольная работа, добавлен 14.05.2014Розробка квазілінійних моделей генераторів на основі транзисторних структур з від'ємним опором. Амплітуда і частота стаціонарних коливань, оцінка короткотривалу нестабільності генератора. Причини нелінійного відхилення частоти генерованих коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2015Підвищення коефіцієнта корисної дії, стабільності та розширення діапазону перебудови частоти електричних коливань генераторів на основі транзисторних структур. Дослідження стійкості роботи схем генераторів, визначення амплітуди і частоти коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013- 12. Моделювання та оптимізація технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем
Технології побудови формалізованої, математичної та комп'ютерної моделі технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем. Аналіз результатів оптимізації цього процесу за критерієм мінімуму сумарних виробничих й експлуатаційних витрат.
статья, добавлен 29.09.2016 Дослідження конструкції гібридно-плівкових інтегральних схем і мікрозбірок, взаємозв'язку характеристик матеріалів та геометрії тонкоплівкових елементів зі значенням їх експлуатаційних параметрів. Здійснення розрахунків поверхневого опору резисторів.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Проектування топології мікросхеми та вихідні дані. Проектування напівпровідникової мікросхеми та вибір конструкції активних елементів. Розрахунки пасивних елементів та площі кристалу, тонкоплівкових резисторів та особливості паразитних зв’язків.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.
учебное пособие, добавлен 16.07.2017Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
статья, добавлен 29.06.2016- 17. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, здатний підсилювати потужність. Загальні відомості про біполярні транзистори, їх будова та принцип дії. Класифікація, маркування, режими роботи та використання транзисторів.
лекция, добавлен 16.07.2017Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.
статья, добавлен 29.09.2016Математична модель біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора. Частотні мікроелектронні перетворювачі магнітного поля на основі трьох біполярних, МДН- та біполярного транзисторів з активним індуктивним елементом. Оцінка похибок вимірювання.
автореферат, добавлен 28.09.2014Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Структурна схема формувача сигналу цифро-аналогового перетворювача для гідролокатора. Моделювання роботи окремих вузлів формувача сигналу. Перевірка правильності здійснених розрахунків за допомогою програмного пакету "Multisim", моделювання процесів.
курсовая работа, добавлен 11.06.2020Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013