Моделювання субмікронних гетеротранзисторів з низькорозмірними системами
Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
Подобные документы
Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Визначення реальних параметрів сонячного елементу та рекомбінаційних втрат, зумовлених рекомбінацією носіїв заряду на фронтальній і тильній поверхнях поглинаючого шару, в його нейтральній частині та області просторового заряду p-n гетеропереходу.
статья, добавлен 13.01.2017Поняття та зміст лінійного квантування, його значення, причини помилок, що виникають при цьому. Відмінні особливості та характеристики лінійного та нелінійного квантування, механізми їх реалізації та необхідні пристосування. Вплив зміни розрядності коду.
реферат, добавлен 06.03.2011Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Розроблення біоелектронних, біохімічних, схемотехнічних моделей процесів, що протікають у біологічних тканинах; способів агрегатування електронних і комп’ютерних методів накопичення і аналізу біологічних проб у діагностуванні захворювань муковісцидозом.
автореферат, добавлен 24.02.2014Методи стиснення багатоканальних сигналів та зображень дистанційного зондування та підвищення їх ефективності. Розробка автоматичних методів стиснення, що дозволять врахувати статистичні та кореляційні особливості багатоканальних сигналів та зображень.
автореферат, добавлен 26.07.2014Методи дослідження динамічної поведінки напівпровідникових електроінжекційних лазерів і схеми з урахуванням конструктивних та технологічних параметрів та з нетрадиційними джерелами живлення, також розробка методик, алгоритмів і програм для їх моделювання.
автореферат, добавлен 27.02.2014Основні поняття, методи та завдання ідентифікації. Принципи моделювання досліджуваних об'єктів. Характеристика фізичних та математичних моделей, їх властивості. Особливості сигналів як носіїв інформації фізичної природи, моделювання імпульсних систем.
контрольная работа, добавлен 18.07.2013Розробка алгоритму підвищення інформативності сканерних зображень на основі використання ІСА-, вейвлет-перетворень та використання попередньої еквалізації. Оцінка ефективності алгоритму при обробці цифрових зображень, отриманих аерокосмічними системами.
статья, добавлен 28.10.2016Розробка установки для дослідження термостимульованої люмінесценції. Аналіз кінетичних параметрів центрів локалізації носіїв заряду та характеристик центрів рекомбінації, що призводять до люмінесценції. Поєднання лінійного нагрівання, фракційного відпалу.
статья, добавлен 29.09.2016- 14. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Оптимізація основних параметрів телекомунікаційних каналів передавання даних з використанням розроблених математичних моделей середовища типу "скручена пара". Підвищення та покращення їх пропускної здатності шляхом удосконалення методів модуляції сигналу.
автореферат, добавлен 29.07.2014Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження сучасних засобів вимірювання фізичних параметрів інформаційної доріжки фоноциліндра на відповідність визначеним вимогам. Розробка алгоритму цифрової обробки звукового сигналу при відновленні й реконструкції фонограм раритетних носіїв запису.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розробка структур високоточних швидкодіючих самокаліброваних аналого-цифрових перетворювачів порозрядного врівноваження з перерозподілом заряду, зменшення статичних похибок. Розробка та оцінка рекомендацій щодо проектування АЦП з перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2013Розробка теорії автофазної лампи бігучої хвилі з урахуванням поля об’ємного заряду. Дослідження електронно-хвильових явищ в статичних полях лазера на вільних електронах. Зв’язок між шириною згустку та його положенням відносно електромагнітної хвилі.
автореферат, добавлен 12.08.2014Основні методи вимірювання дальності. Задачі імітаційного моделювання. Визначення початкових даних для проведення імітаційного математичного моделювання роботи багаточастотного фазового методу вимірювання дальності та радіальної швидкості рухомих цілей.
статья, добавлен 30.10.2016Підвищення точності вимірювання витрати ультразвуковими витратомірами з кількома акустичними каналами. Дослідження впливу спотвореної структури потоку (у вигляді формули швидкості Salami Р9) на похибку інтегрування, її розрахунок методом Гаусса-Якобі.
статья, добавлен 23.09.2016Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013- 23. Оцінка динамічних параметрів тропо-стратосфери радіотехнічними системами вертикального зондування
Створення моделей розсіяного сигналу і системи обробки сигналів у радіотехнічних системах вертикального зондування. Розробка структури комплексу апаратури для досліджень динамічних параметрів тропосфери й стратосфери доплерівським методом при ясному небі.
автореферат, добавлен 15.11.2013 Запропоновано принципи побудови, архітектуру та методику проектування багатоканальних апаратно-орієнтованих процесорів СБШ на основі багатоканальних процесорних елементів з врахуванням параметрів каналів передачі даних та низькими затратами обладнання.
автореферат, добавлен 22.06.2014Підвищення точності та швидкодії аналого-цифрових перетворювачів послідовного наближення на базі конденсаторного цифроаналогового перетворювача. Розробка головних алгоритмів самокалібрування ваг розрядів швидкодіючих АЦП із перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 14.09.2014