Эквивалентная схема джозефсоновского перехода с интегрированной антенной в терагерцовой области частот

Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.

Подобные документы

  • Изучение конструкции модифицированной плоской спиральной антенны с полем излучения круговой поляризации. Анализ характеристик поля излучения и входного сопротивления антенны в широкой полосе частот. Распределение тока на проводниках конического перехода.

    статья, добавлен 14.08.2013

  • Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Рассмотрение принципов построения разрабатываемой антенны. Влияние её формы и размеров на параметры щелевых антенн. Обоснование выбранной конструкции. Расчёт основных параметров и характеристик антенны. Возбуждение антенны с помощью системы фидеров.

    дипломная работа, добавлен 16.06.2015

  • Условия, которые необходимо учесть, чтобы разброс значений статического коэффициента передачи тока транзистора не оказывал влияние на величину напряжения. Методика построения эквивалентной схемы анализа двухкаскадного усилителя на средних частотах.

    контрольная работа, добавлен 11.07.2022

  • Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.

    реферат, добавлен 02.08.2009

  • Расчет параметров излучателей антенной решетки. Расчет направленных свойств антенной решетки. Питание и конструкция антенной решетки. Оценка полосы рабочих частот. Параметры используемых кабелей. Графики частотной зависимости. Чертёж антенной решетки.

    курсовая работа, добавлен 01.03.2014

  • Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2013

  • Метод вычисления статических характеристик джозефсоновского перехода, взаимодействующего с внешней электромагнитной резонансной системой. Компьютерная программа, реализующая алгоритм решения стохастических дифференциальных уравнений с помощью формулы Ито.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Исследование фрагмента цилиндрической антенной решетки на основе сверхширокополосных излучателей в виде вырезки из поликонической антенны. Расчет коэффициента отражения импульса. Характеристики излучения элемента антенной решетки на разных частотах.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Зеркальные антенны как наиболее распространенные остронаправленные антенны. Определение размеров зеркал параболической антенны. Параметры заданного типа облучателя. Диаграмма направленности антенны. Схема антенно-фидерного тракта (волноводного тракта).

    контрольная работа, добавлен 18.02.2018

  • Параметры преобразования импеданса. Потенциометрические дифференциальные включения и мостовые перемещения переменного тока. Характеристики автогенератора и его усилителя. Дифференциальные схемы, используемые для уменьшения аддитивных погрешностей.

    контрольная работа, добавлен 13.05.2015

  • Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.

    дипломная работа, добавлен 30.06.2017

  • Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.

    контрольная работа, добавлен 14.10.2017

  • Схема движения электронов при прямом и обратном включении p-n-перехода. Параметры первичных сигналов в структуре телекоммуникационных сетей, их классификация по виду передаваемых сообщений. Условия самовозбуждения автогенераторов гармонических колебаний.

    контрольная работа, добавлен 13.01.2011

  • Технологические методы создания электронно-дырочного перехода. Определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Внешний фотоэффект и его применение в фотодиодах.

    дипломная работа, добавлен 11.01.2011

  • Расчет диаграммы направленности цилиндрической антенной решетки. Расчет шумовой температуры, действующей длины антенны, входного сопротивления антенны и геометрических размеров цилиндрической антенной решетки с излучателями в узлах прямоугольной сетки.

    курсовая работа, добавлен 24.06.2012

  • Эмиттерный повторитель как каскад, в котором транзистор включен по схеме с общим коллектором, его параметры. Принципиальная схема усилителя с RC связью. Параметры усилителя в области средних частот. Частотная характеристика в области низких частот.

    реферат, добавлен 06.09.2017

  • Рассмотрение схемы и принципа действия антенны Кассегрена. Выбор формы излучающей поверхности и профиля зеркала. Замена двухзеркальной антенны эквивалентной однозеркальной. Расчет распределения поля на излучающей поверхности антенны и его аппроксимация.

    курсовая работа, добавлен 12.11.2013

  • Основные требования к построению схемы однопутной автоблокировки. Схемы кодовой автоблокировки переменного тока для участков с автономной тягой. Импульсный код, подаваемый с выходного конца рельсовой цепи и воспринимаемый импульсным путевым реле.

    лекция, добавлен 03.10.2013

  • Параметры эквивалентной схемы транзистора. Угол отсечки и коэффициенты разложения. Расчет режима максимальной мощности. Пиковое напряжение на коллекторе. Амплитуда базового тока. Статические модуляционные характеристики. Принципиальная схема модуля.

    контрольная работа, добавлен 23.02.2015

  • Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.

    лабораторная работа, добавлен 01.06.2022

  • Исследование конструкции автогенератора СВЧ излучения на основе микрополосковой антенны логопериодического типа, интегрированная с полевым транзистором, и волновода, встроенного в диэлектрическую подложку. Создание макета SIW-генератора частотой 13,5 ГГц.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Максимизация отношения сигнал/помеха антенной решетки с отказами элементов и флуктуациями амплитудно-фазового распределения. Выражение для средней диаграммы направленности антенной решетки с учетом флуктуаций амплитудно-фазового распределения и отказов.

    статья, добавлен 30.10.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.