Детектори на основі напівпровідникових сполук CdTe І CdZnTe для дозиметрії іонізуючого випромінювання
Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
Подобные документы
З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Исследование спектрометрических характеристик CdTe (CdZnTe)-детекторов при регистрации гамма-излучений в диапазоне 15-500 кэВ и альфа-излучений в диапазоне 4-8 МэВ. Определение элементов от лантана до плутония с регистрацией характеристического излучения.
статья, добавлен 11.11.2013Механізми фізичних процесів, що визначають спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності, напругу розімкненого кола та коефіцієнт корисної дії тонкоплівкової гетеро структури. Можливість застосування тонкоплівкового CdTe в детекторах.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Доцільність застосування анодного процесу формування плівок кадмію сульфіду з електроліту на основі органічного апротонного розчинника. Принципова технологічна схема способу одержання тонких полікристалічних стрічок CdS і CdTe електролітичним способом.
автореферат, добавлен 29.08.2015Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Оптичні властивості тонких плівок і керамік на основі оксидів вольфраму і вісмуту, особливості їх люмінесценції при різних видах збудження. Встановлення механізму випромінювання та дослідження характеристик центрів захоплення термоактиваційними методами.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Технології виготовлення металевих мікростріпових детекторів з нікелю на кремнієвій підкладці. Використання джерела альфа-випромінювання Pu-239 і системи зчитування даних Sens Tech XDAS. Моніторинг пучка іонів і виникнення вторинної електронної емісії.
статья, добавлен 24.03.2024Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015Досягнення режиму одночастотного квазінеперервного випромінювання генерації в твердотільних лазерах із ламповою накачкою. Аналіз методів самомодуляції потужного випромінювання на основі організації внутрішніх фізичних процесів в активних елементах.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Використання фотоелектричних перетворювачів. Визначення оптичних та рекомбінаційних втрат в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe та n-CdS/p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO і ZnO.
статья, добавлен 23.12.2016- 20. Оптичні і люмінесцентні властивості нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах та полімерних матрицях
Виготовлення макету світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів телуриду кадмію. Дослідження фотолюмінесцентних і оптичних властивостей нанокристалів CdTe. Знаходження залежності зсуву Стокса від розмірів нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах.
автореферат, добавлен 19.07.2015 Створення деполяризаторів світла для кільцевого волоконного інтерферометра. Особливості голографічного елементу для введення випромінювання в світловоди. Поліпшення характеристик волоконно-оптичних інтерферометрів завдяки голографічній корекції поля.
автореферат, добавлен 04.03.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Умови виникнення люмінесцентного випромінювання. Характеристика джерел електромагнітного випромінювання, що працюють на основі вимушеного випромінювання атомів та молекул. Перший мазер на молекулах аміаку. Аналіз принципів роботи квантового генератора.
презентация, добавлен 12.03.2012