Моделювання субмікронних компонентів інтегральних схем на сполуках AIIIBV
Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
Подобные документы
Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015- 2. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Знайомство із середовищем моделювання. Аналіз роботи з меню і вибір компонентів з бібліотеки. Особливості електровимірювальних приладів. Коефіцієнт передачі каскадного включення декількох чотириполюсників. Основні дослідження біполярного транзистора.
методичка, добавлен 17.10.2014Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Основні поняття, методи та завдання ідентифікації. Принципи моделювання досліджуваних об'єктів. Характеристика фізичних та математичних моделей, їх властивості. Особливості сигналів як носіїв інформації фізичної природи, моделювання імпульсних систем.
контрольная работа, добавлен 18.07.2013Метод імітаційного моделювання мікрохвильових пристроїв на підставі рандомізації навантажень, що є підключеними до пристрою при його включенні у тракт. Матричний аналіз та теорія ймовірності. Алгоритми знаходження статистичних оцінок характеристик МП.
статья, добавлен 22.02.2013Створення 3D моделі 50-омної мікросмужкової структури за параметрами. Розрахунок ширини мікросмужкової лінії. Налаштування параметрів розв’язувачів. Результати моделювання (за допомогою TS та FS). Різниця між н-імпедансною та в-імпедансною структурами.
лабораторная работа, добавлен 17.09.2020Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.
статья, добавлен 29.09.2016Визначення і розробка методики синтезу компонентів нетрадиційних нейромереж на основі "НОЖпарадигми". Цифрове моделювання нейромереж з метою оцінки їхньої адекватності математичній моделі. Оцінка показників їх надійності, відмовостійкості, живучості.
автореферат, добавлен 04.03.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Моделювання та можливості використання деяких програм. Моделювання - потужний метод дослідження мереж зв'язку. Використання математичного моделювання на ЕОМ. Програмні продукти імітаційного моделювання мереж. Пакет, призначений для збору вихідних даних.
контрольная работа, добавлен 13.02.2011Метод підсумовування рядів у гільбертовому просторі з відтворюючим ядром для підвищення моделювання компонентів радіоелектронних пристроїв. Розв’язання граничних електродинамічних задач аналізу електромагнітного поля і моделювання резонаторних пристроїв.
автореферат, добавлен 24.07.2014Переваги застосування середовищ моделювання в порівнянні з виконанням експериментів над реальною системою. Класифікація систем моделювання за їх функціональністю. Розгляд програмного продукту, доступного для навчальних закладів за безкоштовною ліцензією.
статья, добавлен 27.07.2016Аналіз засобів програмної реалізації математичних моделей мереж зв’язку. Властивості мережі зв’язку з комутацією пакетів, які необхідно відобразити в її моделі. Пакети програм для моделювання і оптимізації систем. Математичні моделі системи зв’язку.
контрольная работа, добавлен 14.02.2011Загальна характеристика устрою польових транзисторів із горизонтальною і вертикальною структурами. Принципова схема резонансного генератора із зовнішнім збудженням на транзисторі. Розрахунок параметрів режиму стокового ланцюга на робочих частотах.
контрольная работа, добавлен 27.03.2011Моделювання і проектування погоджуючих ланцюгів малошумливих підсилювачів міліметрового діапазону. Рекомендації щодо конструкції робочих об'ємів каскадів підсилювачів, елементів монтажу з врахуванням технології паяння, зварки і приклеювання при монтажі.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розрахунок характеристик цифрового режекторного фільтру. Моделювання за допомогою Filter Design&Analysis Tool фільтру із заданими параметрами. Представлення протоколу передачі даних між відповідними Master та Slave пристроями у вигляді часових діаграм.
контрольная работа, добавлен 23.05.2016Вибір методу кількісної оцінки виготовлення і контролю радіоелектронної апаратури. Загальна характеристика методів класичного, кореляційного та факторного аналізу, методу головних компонентів та тимчасових рядів. Визначення основних етапів моделювання.
контрольная работа, добавлен 11.02.2010Закономірності, особливості будови і функціонування мережі передачі даних Єдиної супутникової системи передачі інформації. Методи динамічної маршрутизації. Модель гібридних мереж зв'язку, оптимальний план розподілу навантаження. Імітаційне моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016