Явления, связанные с движением зарядов в фоточувствительных кристаллах
Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
Подобные документы
Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
презентация, добавлен 20.07.2013Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Методы распределения памяти, в которых используется перемещение сегментов процессов между оперативной памятью и диском, и в которых внешняя память не привлекается. Страничное распределение памяти и распределение с фиксированными и динамическими разделами.
реферат, добавлен 06.10.2010Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Расчет параметров облучателя и размеров зеркала: рабочая длина волны, размер и площадь раскрыва, фокусное расстояние и распределение поля в раскрыве. Расчет и построение диаграммы направленности антенны в вертикальной и горизонтальной плоскостях.
реферат, добавлен 07.07.2009Одномерное распределение зарядов и токов. Функция Грина и выражения для напряженностей электромагнитного поля. Поле излучения тонкой заряженной плоскости. Сила радиационного трения. Взаимодействие электронного листа с плоской электромагнитной волной.
научная работа, добавлен 04.11.2018Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Назначение систем оперативного тока на станциях и подстанциях, их внутренняя структура и закономерности работы. Функции и значение трансформаторов тока, схема их питания. Эксплуатация аккумуляторов и режим работы батарей. Распределение оперативного тока.
контрольная работа, добавлен 23.07.2016Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Проведение комплексного анализа свойств и характеристик моделей случайных процессов. Генерация детерминированного сигнала. График сигнала с шумом, имеющим равномерное распределение. Шум, имеющий экспоненциальное распределение, оценка корреляции.
лабораторная работа, добавлен 03.05.2023Обзор технологии сотовой подвижной радиосвязи третьего поколения UMTS. Распределение радиочастотного ресурса для систем сотовой связи 3G. Расчет радиуса зоны обслуживания. Определение числа каналов траффика. Распределение кодовых сдвигов по секторам сети.
дипломная работа, добавлен 07.06.2018Структура блока фазосдвигателей, корректирующих фазовое распределение в выходной апертуре диаграммобразующей схемы. Зависимость формы диаграммы направленности излучения от параметров схемы и частоты. Распределение амплитуд волн на выходах волноводов.
статья, добавлен 05.11.2018Распределение аксиального и радиального компонентов вектора напряженности переменного магнитного поля в объеме ферромагнетика на различных частотах. Расчет поверхностной и объемной плотности пондеромоторных сил электромагнитного поля и сил Джоуля.
статья, добавлен 26.06.2016Изучение конструкции модифицированной плоской спиральной антенны с полем излучения круговой поляризации. Анализ характеристик поля излучения и входного сопротивления антенны в широкой полосе частот. Распределение тока на проводниках конического перехода.
статья, добавлен 14.08.2013Распространение одномерных и электромагнитных волн в многослойной структуре с периодической неоднородностью. Линейно-синусоидальный тип распределения, обусловленный диссипацией среды. Переход свойств структуры от диэлектрических к металлическим.
статья, добавлен 05.11.2018Влияние уровней прилипания на стационарный (установившийся) фототок и стационарную фотопроводимость. Изменение релаксации фототока при наличии медленных центров захвата и при сильном заполнении уровней прилипания. Термостимулированное опустошение ловушек.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Частотная концепция. Распределение частотных диапазонов для мобильных стандартов. Длина электромагнитных волн. Полоса пропускания и каналы радиосвязи. Дуплексный разнос частот. Ёмкость системы и повторное использование частот. Скорость передачи данных.
курсовая работа, добавлен 19.09.2016Выполнение численного моделирования двумерного волнового уравнения с использованием явной трехслойной схемы типа "крест". Распределение компоненты электромагнитного поля в волноводе при распространении по нему волны с различной несущей частотой.
статья, добавлен 04.11.2018История возникновения и классификация носителей информации. Накопители на гибких и жестких магнитных дискетах как продолжение развития технологии магнитного хранения информации. Классы применения оптических, магнитооптических и цифровых компакт-дисков.
курсовая работа, добавлен 18.10.2016Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013- 25. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013