Деградационные явления в гетероструктурах на основе GaN
Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
Подобные документы
Разработка дифференцирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Построение принципиальной электрической схемы дифференцирующего усилителя. Описание вольтамперных характеристик некоторых элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Исследование амплитудных характеристик малошумящих усилителей сверхвысокочастотного диапазона. Структурная схема измерительной установки, предназначение и применение усилителя-ограничителя. Особенности нелинейных показателей различных усилителей.
статья, добавлен 29.07.2017Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022История создания оптоволокна. Распространение света в струе воды. Создание гетеропереходов и построение на их основе полупроводниковых лазерных излучателей. Устройство простейшего оптического волокна. Фотонные кристаллы в природе, их классификация.
презентация, добавлен 21.09.2016Определение состава лабораторной установки. Описание конструкции и работы оптического канала. Схема измерения в области микротоков. Описание блока электрических измерений. Расчет собственной частоты печатного узла. Выбор способов защиты устройства.
дипломная работа, добавлен 19.04.2014Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Исследование антенных излучателей на основе отрезка однополосковой ленточной меандровой линии. Рассмотрение излучающих элементов с прямоугольной формой меандра при различной ширине излучателя, при фиксированной величине периода и ширины полоски.
статья, добавлен 04.11.2018Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
статья, добавлен 26.09.2014Применение ЭВМ (пакет OrCAD) для построения и анализа схемы пассивной линейной RLC цепи. Создание моделей полупроводниковых приборов с помощью Model Editor. Исследование шумовых и температурных свойств усилительного каскада на биполярном транзисторе.
методичка, добавлен 10.08.2013Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.
диссертация, добавлен 10.08.2020Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Разработка проекта интегрирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Проведение графоаналитического расчета выходного каскада. Описание интегратора усилителя и анализ параметров усиления по напряжению и току.
курсовая работа, добавлен 15.07.2012Преимущества и недостатки оптических световодов. Защита световодов от коррозии. Срок службы источников света. Типичные параметры полупроводниковых источников света. Преобразование света в электрический ток. Классификация волоконно-оптических кабелей.
реферат, добавлен 25.05.2012Изучение влияния преобразованного света на живые системы. Создание системы подсветки растений на основе светопреобразующего композита и светодиодного модуля, излучающая свет, спектральный состав которого наиболее близок к спектру поглощения хлорофилла.
автореферат, добавлен 14.04.2018Экспериментальное исследование малошумящих усилителей: первый содержит один каскад на микросхеме HMC374, второй - два каскада на той же микросхеме. Получение амплитудно-частотных характеристик устройств. Сравнение параметров с паспортными данными.
статья, добавлен 03.04.2018Рассмотрение основных видов материалов радиоэлектронных средств: конструкционных, проводниковых, контактных, магнитных, диэлектрических, их свойств и области применения. Определение особенностей материалов на основе термореактивных синтетических смол.
курс лекций, добавлен 31.12.2015Особенность интеграции аналоговых и цифровых устройств в специализированные сложно-функциональные блоки. Анализ обобщенной структуры и основных свойств звеньев полосовых фильтров. Исследование схемотехнического проектирования звена второго порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Изучение материалов и устройств оптической памяти, нейросетевой обработки информации. Функциональные преимущества и перспективность применения бактериородопсина (БР) в приборах электронной техники. Требования к параметрам БР-содержащих полимерных пленок.
дипломная работа, добавлен 30.01.2018Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016