Характеристика, классификация и сферы применения квантовых оптических приборов
Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
Подобные документы
Общая характеристика и квантовое описание исследуемого лазера. Получение инверсной заселенности, состав активной среды, температурный режим, регенератор. Характеристика газового разряда, ВАХ, потенциальная диаграмма. Резонатор и требования к нему.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Способ детектирования работы обнаружителей оптических систем. Принципы обнаружения оптического объекта. Характеристика Shortpass фильтра для отсекания инфракрасного излучения. Спектральная чувствительность глаза человека, применение оптических приборов.
статья, добавлен 10.03.2018Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Пути и перспективы решения задачи детектирования обнаружителей оптических систем. Подходы к разработке специального прибора – портативного детектора лазерного излучения, его функциональные особенности, условия применения, преимущества и недостатки.
статья, добавлен 10.03.2018Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013Обзор существующих методов передачи на волоконно-оптических системах городских телефонных сетей. Классификация и характеристика волоконно-оптических датчиков. Принцип действия, структурные схемы оптических гироскопов и системы с повышенной стабильностью.
курсовая работа, добавлен 16.07.2015Характеристика истории создания гетеродинного приемника и анализ его принципа действия. Описание схемы телеграфной радиолинии. Вольтамперная характеристика детектора. Определение крутизны и кривизны для современного диода Д2 по вольтамперной зависимости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2014Проведение анализа различных условий когерентного сложения потоков лазерного излучения. Процесс создания устройства, обеспечивающего непрерывное вычитание волн, их использование при формировании атмосферных открытых линий связи нового поколения.
статья, добавлен 29.04.2017Исследование приборов для проведения измерений на волоконно-оптических линиях связи. Описания особенностей оптических рефлектометров. Обзор принципов определения потерь рефлектометром. Автоматический выбор диапазона по дальности и зондирующего импульса.
лекция, добавлен 13.09.2017Общие вопросы распространения излучения в атмосфере. Поглощение излучения в земной атмосфере. Особенности рассеяния излучения в атмосфере. Флуктуации прозрачности атмосферы и их влияние на работу оптико-электронного прибора. Рефракция оптических лучей.
лекция, добавлен 17.11.2018История создания и принцип работы лазера. Уникальные свойства лазерного излучения, монохроматичность и когерентность. Применение лазеров в технологических процессах. Использование лазерной дальнометрии в военной технике, принцип работы дальномера.
реферат, добавлен 15.12.2014Категории электроизмерительных приборов: рабочие и образцовые. Условные обозначения на шкалах приборов, сферы их применения. Повышенная точность и чувствительность к измеряемой величине. Построение логометрического механизма электроизмерительной системы.
реферат, добавлен 20.10.2023Особенности лазерного излучения. Газовые и полупроводниковые лазеры. Принцип работы МО накопителя. Область применения и перспективы развития. Применение лазеров в военной технике: принципы наземной локации, голографических индикаторов на лобовом стекле.
реферат, добавлен 29.08.2015Анализ структуры ГЦТ "Астанателеком", рассмотрение основных финансовых показателей. Рассмотрение приборов, используемых для обнаружения излучения: фотосенсорные карты, измерители оптической мощности. Характеристика видов волоконно-оптических кабелей.
отчет по практике, добавлен 12.09.2012Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Изменение пространственных спектров при искажении аппаратной функцией, воздействии шума, инверсной фильтрации и фильтрации Винера. Зависимость коэффициента восстановимости изображения, амплитуды шума и воздействия инверсной и Винеровской фильтраций.
статья, добавлен 07.11.2018Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017Исследование разновидностей оптических волокон. Рассмотрение различий между многомодовыми или мультимодовыми и одномодовыми волоконными кабелями. Величина задержки для наиболее распространенных кабелей. Анализ области применения оптических волокон.
статья, добавлен 12.06.2018Проведение оценочного инженерного расчета в аналитическом виде и с помощью средств персонального компьютера. Программа для расчета оптических параметров СО2-лазера, ее общая характеристика и функциональные особенности, порядок разработки и алгоритмы.
курсовая работа, добавлен 19.05.2013Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015