Поляризація діелектриків
Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
Подобные документы
Особливості поляризації діелектриків, їх класифікація. Характеристика електропровідності газоподібних, рідких і твердих діелектриків. Основні види діелектричних втрат: втрати, обумовлені поляризацією чи неоднорідністю структури, іонізаційні втрати.
дипломная работа, добавлен 07.11.2011Створення діагностичних приладів для вимірювання параметрів пучків іонів і атомно-молекулярних потоків у вакуумному середовищі. Методика синтезу ультратонких суцільних плівок нітридів та оксинітридів металів з використанням іонно-променевого розпилення.
автореферат, добавлен 27.07.2015Формування та електрична релаксація поляризованого стану в активних органічних діелектриках. Роль напівпровідників в процесах об’ємного заряду. Модель формування поляризації в напівкристалічних та аморфних плівках органічних активних діелектриків.
автореферат, добавлен 05.01.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014- 5. Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазою
Вплив дейтерування, катіонного заміщення, температурної еволюції структури та анізотропії нелінійних діелектриків з вихідною центросиметричною фазою на поведінку їхніх оптичних і діелектричних характеристик. Умови наявності несумірної модуляції.
автореферат, добавлен 29.09.2015 Дослідження впливу параметрів експерименту на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. Отримання близьких до стехіометричного складу шарів нітриду алюмінію, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту.
статья, добавлен 13.10.2016Фізико-технологічні параметри процесу формування тонких плівок шляхом термоіонного і реакційного термоіонного осаджування, різних модифікацій магнетронного розпилення та методами активованого плазмою хімічного осадження і лазерного випаровування.
автореферат, добавлен 22.04.2014Електричні заряди,електростатичне поле у вакуумі та закон Кулона. Потік вектора напруженості. Теорема Гаусса для електростатичного поля. Циркуляція вектора напруженості. Поляризація діелектриків. Вектор поляризації. Електрична ємність провідників.
учебное пособие, добавлен 17.03.2015Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Особливості дослідження зародження та розвитку спонтанних ґраток в умовах конкуренції хвилеводних мод ортогональної поляризації. Аналіз проблем формування фотонних кристалів у діелектричних хвилеводах. Загальна характеристика хвилеводних плівок AgCl.
контрольная работа, добавлен 28.08.2014Застосування вольфраму і вуглецю як матеріалів першої стінки, що контактують із плазмою в термоядерному реакторі. Бомбардування вольфрамової плівки одночасно іонами палива та вуглецю середніх енергій. Вплив хімічної взаємодії на розпилення вольфраму.
автореферат, добавлен 30.08.2014Одержання методом реактивного магнетронного розпилення плівок різних фаз оксиду. Дослідження будови та мікроструктури плівок Bi2O3 за допомогою рентгенофазового аналізу, оптичної та електроннооптичної мікроскопії і специфіка їх температурної стабільності.
автореферат, добавлен 29.07.2014Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015- 16. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Вплив низькотемпературних методів виготовлення плівок систем Cu-In-Se та CuInSe2-ZnSe на їх фазовий склад та структуру для потреб геліоенергетики. Методика осадження плівок ZnSe на поверхні альфа-CIS для буферних шарів плівкових сонячних елементів.
автореферат, добавлен 13.08.2015Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013Напружений стан монокристалічних і текстурованих матеріалів. Аналіз стискаючих неоднорідно-розподілених по товщині іонно-плазмових плівок. Релаксація та формування пружних спотворень. Оптимізація технології отримання оболонок із заданими властивостями.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 21. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження процесів формування структури, складу і властивостей зростання плівкових покриттів, утворених залежно від умов розпилення і складу робочого газу. Оптимізація цих умов з метою одержання плівок із заданими фізико-механічними властивостями.
автореферат, добавлен 26.07.2014З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014