Источники излучения. Светодиодные структуры
Гетероструктуры, их состав и материалы. Технология светодиодных структур. Конструкции светодиодов, их характеристики, фотометрические и электротехнические параметры. Постепенное уменьшение мощности светодиодов за счет деградации, причины её возникновения.
Подобные документы
Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Влияние различных факторов на пропускную способность каналов связи - часть процесса разработки и эксплуатации сетей передачи данных. Нивелирование воздействия источников шумов на беспроводные оптические каналы связи на базе светодиодов видимого излучения.
статья, добавлен 16.05.2017Математическая модель двухлинзового коллиматора для светодиодного излучателя. Расширение области применения инфракрасных светодиодов на расстояния до сотен метров путем установки коллиматора, уменьшающего расходимость излучения до десятых долей градуса.
статья, добавлен 19.06.2018Моделирование электрооптического преобразователя. Параметры и характеристики светодиодов. Принцип осуществления цифровой модуляции лазерного диода. Математическая модель электрооптического преобразователя. Уменьшение материальной дисперсии диодом.
реферат, добавлен 27.02.2013Рассмотрение возможности использования беспроводной технологии оптической передачи данных на базе светодиодов видимого излучения в качестве средства для передачи данных между дорожным транспортом. Технические характеристики сетей передачи данных.
статья, добавлен 19.05.2018Характеристика истории открытия и изучения такого физического явления как свечение кристаллического детектора, а также поисков его практического применения. Описание истории изготовления синих светодиодов, принципа их работы и направлений применения.
статья, добавлен 07.08.2017Определение состава лабораторной установки. Описание конструкции и работы оптического канала. Схема измерения в области микротоков. Описание блока электрических измерений. Расчет собственной частоты печатного узла. Выбор способов защиты устройства.
дипломная работа, добавлен 19.04.2014Оптический тестер для измерения мощности оптического излучения в абсолютных и относительных единицах. Основные требования к оптическим тестерам. Светодиодные полупроводниковые источники, применяемые в локальных компьютерных сетях. Рабочий эталон.
реферат, добавлен 23.10.2012Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Выбор схемы включения микроконтроллера, схемы ввода сигналов от датчиков, подключения элементов индикации и управления, сопряжения с последовательным интерфейсом. Схема подключения светодиодов индикации и семисегментных светодиодных индикаторов.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Конструкции, технология изготовления и материалы, применяемые в проволочных резисторах отечественного и зарубежного производства. Сравнительные характеристики и параметры материалов для подвижных контактных узлов. Обеспечение коррозионной стойкости.
статья, добавлен 03.05.2016Анализ идеи использования газового разряда в средствах отображения. Характеристика направления плазменных мониторов. Основные преимущества сверх ярких светодиодов. Система отображения информации на основе светодиодных дисплеев и сенсорных экранов.
дипломная работа, добавлен 22.08.2017Светодиодные экраны: понятие и классификация, типы и актуальность, оценка основных преимуществ и недостатков. Технология плазменных панелей, их сравнительное описание со светодиодными экранами. Внутреннее устройство, принцип работы, техническое описание.
реферат, добавлен 26.11.2014Междуэлектродные емкости, их общие характеристики и назначение. Особенности и частотные характеристики коммутатора на ИМС МАХ312. Причины возникновения динамических помех, их негативное влияние на ключи и способы устранения. Эксплуатационные параметры.
курсовая работа, добавлен 14.02.2009Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Характеристика видов дисперсии у оптического волокна и причины ее вызывающие. Особенности конструкции оптического кабеля. Источники излучения и оптические модуляторы. Основные элементы и характеристики эквивалентной схемы фотодиода и фотоприемника.
контрольная работа, добавлен 27.11.2013Светодиод как полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток в световое излучение. Виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики. Понятие, виды, структура органических фотодиодов. Различие LED и OLED на примере телевизора.
контрольная работа, добавлен 24.03.2015Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Искажения и шумы, имеющие место в передатчике цифровых систем передачи информации, источники их возникновения. Влияние нелинейности амплитудной характеристики передатчика на основные параметры радиолиний. Вычисление мощности неискаженного сигнала.
статья, добавлен 30.10.2018Особенности и элементы органических светодиодов (OLED), история их создания и сферы применения. Преимущества и недостатки OLED-дисплеев в сравнении с плазменными и жидкокристаллическими дисплеями. Разработка светодиода с высокой квантовой эффективностью.
реферат, добавлен 27.12.2012Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Закономерности внешнего и внутреннего фотоэффекта. Принцип действия, устройство и конструкция фотоэлементов, фоторезисторов, фотодиодов и гибридных приемников. Параметры и характеристики фотоэлектрических приемников излучения, аспекты их применения.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Проведение исследования схемы подключения микроконтроллера STM32F303VCTx. Анализ реализации программы "бегущий огонь" на линиях PE8-PE15. Характеристика изменения состояния светодиодов. Особенность перевода номера варианта в двоичную систему счисления.
лабораторная работа, добавлен 28.10.2021Изобретение двунаправленной, высокоскоростной беспроводной коммуникационной технологии физиком Х. Хаасом. Особенность передачи данных в Li-Fi через свет. Основные преимущества и недостатки применения фотодетекторов. Революция в использовании светодиодов.
реферат, добавлен 28.09.2016