Фотоприймачі ІЧ випромінювання на основі твердих розчинів HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe
Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
Подобные документы
Розробка методів збільшення виходу монокристалів твердих розчинів запланованого складу з метою зменшення вартості матеріалів, вирощених методом зонної плавки. Закономірності змін параметрів енергетичного спектра багатокомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 29.09.2014З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014- 4. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для напівпровідників твердих розчинів, особливості поведінки надлишкової енергії при їх змішуванні. Перебудова оптичних функцій сплавів, вплив внутрішніх локальних, біаксіальних деформацій.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 7. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка широкосмугових, перебудовуваних, радіаційностійких ІЧ фотоприймачів та оптичних елементів на кристалах і плівках твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами двох- та трьохвалентних металів. Методи підготовки поверхні монокристалічних підкладок.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 12. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі тричастинкового потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для сплавів Ge1 xSix, Ge1-xSnx, Si1-xSnx, Si1 xCx. Вплив внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості на зонну структуру подвійних розчинів заміщення.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Визначення діапазонів термодинамічної стабільності багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів АІІBVI з вмістом ртуті і виявлення причин утворення ділянок нестабільності. Пояснення особливостей електрофізичних характеристик фотодіодів Шотткі.
автореферат, добавлен 14.10.2015Вплив внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості на основні міжзонні віддалі потрійних розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх. Перебудова оптичних функцій сплавів у залежності від концентрації х і вплив деформацій.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження структури та електричних властивостей тонких плівок на основі твердих розчинів PbTe-Bi2Te3, осаджених у вакуумі на слюдяні та ситалові підкладки. Мозаїчна структура парофазного конденсата, сформована за механізмом зародження Фольмера-Вебера.
статья, добавлен 13.10.2016Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Закономірності розподілу компонентів вздовж кристалів багатокомпонентних твердих розчинів АІІBVI, вирощених методом модифікованої зонної плавки. Визначення концентрації та енергії активації акцепторних центрів у напівпровідниковому твердому розчині.
автореферат, добавлен 14.09.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Кінетичні параметри коміркового розпаду пересичених твердих розчинів для інтервалу гомогенних сплавів олова у свинцю. Термодинамічні параметри процесу старіння сплавів свинець-олово за комірковим механізмом. Особливості багаторазового термооброблення.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вивчення концентраційної поведінки урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. Розгляд спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів. Аналіз катіонного заміщення Ge-Si. Збільшення ширини оптичної псевдощілини.
статья, добавлен 27.12.2016Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Теоретичне визначення концентраційно-температурних областей стійкості твердих розчинів титану ізоморфного, а також евтектоідного типів по відношенню до ізоструктурних фазових перетворень та їх можливого впливу на кристалічну будову мартенситних фаз.
автореферат, добавлен 23.11.2013Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Закономірності формування аномального пересичення в бінарних Al-Sc, Al-Zr і Al-Hf сплавах при швидкій кристалізації з рідкого стану. Механізми розпаду аномально пересичених твердих розчинів. Отримання високодисперсних структур з великою часткою виділень.
автореферат, добавлен 25.02.2015Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015