Источники излучения. Лазеры
Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
Подобные документы
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Изучение отжига лазерным излучением с длиной волны 248 и 193 нм полос наведенного электронным пучком поглощения в стеклах КС-4В, КУ-1 и Корнинг 7980. Связь фототрансформации спектров связана с существенным уменьшением полос на 183.5, 213 и 260 нм.
статья, добавлен 30.11.2018Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Понятие и изучение схем полупроводниковых выпрямителей и параметрических стабилизаторов. Принцип работы однополупериодной и двухполупериодной схемы выпрямителя. Характеристика режима входа осциллографа при измерении размаха пульсаций источника питания.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Генерация рентгеновских и гамма лучей за счет томсоновского рассеяния. Показано, что в такой схеме при использовании современных лазеров возможна генерация аттосекундных рентгеновских и гамма пучков с максимальной энергией в единицы МэВ и высокой яркостью
статья, добавлен 03.11.2018Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
статья, добавлен 29.05.2017Измерительные, механические и электрические элементарные преобразователи. Промежуточные преобразователи. Основные типы полупроводниковых и фотоэлектрических преобразователей электрической энергии. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Фототранзисторы и фототиристоры, их разновидности и конструкции. Многоэлементные фотоприемники. Технология фотоприемников. Диффузия из газа, жидкостная эпоксия и ионная имплантация. Оптический приемный модуль. Область применения оптических датчиков.
лекция, добавлен 17.08.2014Техническое описание атмосферно-оптических линий связи, их надежность, эксплуатационные характеристики и помехоустойчивость. Активная, пассивная и дуплексная схемы построения АОЛС. Лазеры и диоды как источники излучения сигнала. Приемники излучения АОЛС.
дипломная работа, добавлен 02.02.2013Классификация и параметры оптического волокна. Геометрические параметры одномодовых и многомодовых волокон. Физические основы возникновения потерь в изогнутых оптических волокнах. Методика расчета потерь в изогнутых стандартных оптических волокнах.
учебное пособие, добавлен 01.10.2017Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018- 92. Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
презентация, добавлен 27.04.2023 Достоинства полупроводниковых преобразовательных устройств. Назначение тиристорных преобразователей и их основные характеристики. Проектирование и технологический расчет реверсивного тиристорного преобразователя, работающего на двигатель постоянного тока.
курсовая работа, добавлен 29.03.2015Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 25.11.2013Система беспроводной зарядки беспилотных летательных аппаратов (БПЛА). Влияние атмосферы на распространение лазерного излучения. Основные параметры турбулентности для вертикальной траектории. Использование адаптивной оптической системы без обратной связи.
презентация, добавлен 29.10.2019Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Оптический тестер для измерения мощности оптического излучения в абсолютных и относительных единицах. Основные требования к оптическим тестерам. Светодиодные полупроводниковые источники, применяемые в локальных компьютерных сетях. Рабочий эталон.
реферат, добавлен 23.10.2012Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018