Влияние технологических факторов на дефектность структур кремний на сапфире
Исследование механизма гетероэпитаксии кремния на сапфире, для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Изучение методом резерфордовского обратного рассеяния эпитаксиальных слоев кремния выращенных на сапфировой подложке.
Подобные документы
Исследование влияния технологических режимов плавки на степень очистки кремния и однородность распределения примеси в монокристаллах кремния. Характеристика зависимости удельного электрического сопротивления кристаллов кремния от количества проходов.
статья, добавлен 29.07.2016- 2. Технология прямого сращивания пластин кремния и технологические маршруты изготовления структур КНИ
Преимущества структур КНИ перед структурами на основе объемного кремния. Технологии создания структур КНИ. Особенности процесса имплантация ионов водорода в приборную пластину. Исследование процессов химико-механической обработки кремниевых структур.
статья, добавлен 02.11.2018 Экспериментальное обнаружение и исследование различных пиков в спектре комбинационного рассеяния образцов кремния, имплантированных ионами меди. Исследование характера динамики трансформации микроскопической структуры приповерхностного слоя кремния.
статья, добавлен 12.11.2020Свойства пленок нитрида кремния. Электронная структура нитрида кремния. Способы получения пленок нитрида кремния. Высокотемпературные акустические приемники. Датчик газового анализатора. Применение тонких пленок нитрида кремния в микроэлектронике.
курсовая работа, добавлен 06.10.2019Механические, химические, физические и электрофизические свойства кремния. Применение кремния в электронной технике. Способы получения технического кремния. Способы получения и очистки трихлорсилана. Методы производства монокристаллического кремния.
реферат, добавлен 08.10.2017Исследование приемов оптимизации теплового узла для выращивания монокристаллов кремния. Разработка комплексного теплового узла для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Усовершенствование конструкции боковой экранировки нагревателя.
статья, добавлен 30.10.2016Результаты оптимизации технологического процесса формообразования асферической поверхности на подложке из поликристаллического кремния. Сочетание различных методов контроля формы поверхности и уточнения функции материалосъема во время обработки.
статья, добавлен 07.12.2018Структуры основных политипов карбида кремния, особенности его структуры. Результаты исследования структур на основе карбида кремния методом инфракрасной спектроскопии. Принципы и этапы формирования структуры в композиционной карбид кремниевой керамике.
дипломная работа, добавлен 01.08.2021Результаты лабораторных экспериментов по исследованию возможности протекания в условиях агрегата ковш-печь процессов алюмино- и карботермического восстановления кремния из оксида кремния рафинировочного шлака. Определение доли восстанавливаемого кремния.
статья, добавлен 29.07.2016Основы термического вакуумного распыления. Особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Химические основы процесса получения эпитаксиальных плёнок кремния.
учебное пособие, добавлен 26.11.2013Оценка содержания азота в раскисленном металле перед выпуском его из печи в зависимости от состава шихты. Зависимость хладостойкости стали 25Л от содержания кремния в технологических пробах. Величина угара углерода, кремния, марганца в процессе плавления.
статья, добавлен 17.06.2018Характеристика карботермического метода рафинирования кремния. Отделение шлака отстаиванием в жидком состоянии для коагуляции и выделения в отдельную фазу мелких включений. Анализ химического, вакуумного и флюсового методов рафинирования кремния.
реферат, добавлен 25.12.2022Сведения о техническом кремнии. Технологический процесс получения однородного, легированного бором монокристалла кремния, методом направленной кристаллизации. Оборудование для бестигельной зонной плавки. Калькуляция себестоимости затрат на ее проведение.
курсовая работа, добавлен 27.11.2013Применение карбида кремния в ювелирном деле в качестве абразива и имитатора алмаза ювелирного качества. Нахождение в природе и химическая формула карбида кремния, его физико-химические свойства. Штамповка, отделка, огранка и литье ювелирных изделий.
презентация, добавлен 16.12.2013Изучение возможности металлотермического получения кристаллического кремния (КК) с использованием в качестве восстановителя различных видов углеродистых восстановителей. Анализ получения КК из кварца с использованием спецкокса и длиннопламенного угля.
статья, добавлен 24.05.2018Оборудование и методы осаждения вещества. Газофазная эпитаксия - процесс осаждения эпитаксиальных слоев из газовой фазы. Конструкция камер для газофазного наращивания. Достоинства метода эпитаксиального наращивания. Получение поликристаллического кремния.
реферат, добавлен 12.01.2016Характеристика кремния металлургического сорта и мероприятия по улучшению его качества. Технологии рафинирования кремния с доведением его до чистоты солнечного сорта, пригодного для изготовления фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.
статья, добавлен 14.10.2016Основной химический состав кристаллического кремния, производимого из лигнита в электропечи. Взаимосвязь между содержанием золы лигнита и количеством железа при использовании лигнита вместо древесного угля в производстве кристаллического кремния.
статья, добавлен 25.07.2018Исследование полиморфных переходов в карбиде кремния. Зона Бриллюэна и сравнение 3C и 2H политипов SiC. Схема экспериментальной установки структурной кристаллографии. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа. Метод магнетронного распыления.
аттестационная работа, добавлен 26.09.2016Методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников. Выращивание кристалла с поперечным сечением произвольной формы. Технологическое оформление кристаллизации. Выращивание профильных монокристаллов на примере кремния. Размещения расплавов.
контрольная работа, добавлен 08.10.2010Получение многослойной металлизации Al-NiTi-Pd на поверхности монокристаллического кремния n-типа. Изготовление диодов Шоттки, их характеристики. Устранения технологической операции создания диффузионного барьера Ni-Ti в случае контакта PdSi с n-Si.
статья, добавлен 14.10.2016Кристаллизация кремния и германия из расплава при повышенной скорости. Учет физических (кинетика на фронте кристаллизации и тепломассоперенос) и кристаллохимических (координация атомов и тип межатомных связей) факторов при кристаллизации веществ.
статья, добавлен 07.12.2016Определение характеристик произвольных гетерогенных систем, основанных на принципе максимума энтропии. Моделирование химических равновесий при высоких температурах. Изучение влияния мольного состава на термическую стойкость нитрида кремния в аргоне.
статья, добавлен 20.05.2018Анализ требований к показателям качества кремния, получаемого карботермическим способом при электроплавке. Изучение оптимальных параметров подготовки шихты из мелкофракционных сырьевых материалов для плавки в руднотермических печах способом окомкования.
автореферат, добавлен 30.01.2018Перечень требований к полупроводниковым подложкам. Характеристика монокристаллического кремния. Схема производственного процесса изготовления интегральных микросхем. Технология получения кремния полупроводниковой чистоты и формирования из него слитков.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010