Расчет контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода
Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
Подобные документы
Рассмотрение возникновения и расчет контактной разности потенциалов между двумя металлическими телами. Описание перемещения уровней Ферми "в структуре энергетических зон" тел. Вычисление разности потенциалов между поверхностями анода и катода диода.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Выполение расчета блоков выпрямителя, стабилизатора и усилительного каскада. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора. Рассмотрение рабочего режима биполярного транзистора. Вычисление h-параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.11.2018Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Динамика изменения контактной разности потенциалов силовых кабелей со сшитой полиэтиленовой изоляцией в исходном состоянии и после терморадиационного старения. Заземление металлических элементов кабеля для уменьшения степени влияния поверхностных зарядов.
статья, добавлен 14.09.2016Корпускулярная дифракции электронов как следствие действия закономерности, которая может быть названа законом Потенциальной Градации материи. Проявление закона и его использование в полупроводниковой технике. Расчет контактной разности потенциалов.
статья, добавлен 23.11.2018Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Рассмотрение стройности картины материи и мира по Ньютону. Предпосылки и последствия исследования атмосферного электричества М. Ломоносовым. Влияние открытия контактной разности потенциалов на начало построения химических источников электрического тока.
реферат, добавлен 01.11.2013Рассмотрение физических принципов термоэлектронной эмиссии. Вычисление максимальной плотности тока по формуле Ричардсона-Дешмана. Оценка влияния анодного напряжения, эффекта Шоттки и контактной разности потенциалов на вольт-амперную характеристику.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Первые гальванические элементы. Поляризация электродов, проявляющаяся в различных явлениях. Физик и электротехник Борис Якоби, его изобретение. Физиологическое действие электрического разряда. Открытие контактной разности потенциалов. Опыт Гальвани.
доклад, добавлен 05.09.2016Анализ специфических особенностей временного ряда контактной разности потенциалов силового кабеля с бумажно-пропитанной изоляцией. Одновременное заземление экрана и токопроводящей жилы - одна из основных причин уменьшения флуктуаций сигнала в кабеле.
статья, добавлен 22.12.2016Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.
презентация, добавлен 20.07.2013Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Рассмотрение упрощенного способа решения тепловой задачи нагрева контактной системы выключателя с учетом фазового перехода. Зависимость температуры материала от времени с учетом фазового перехода. Описание и особенности программного пакета ELCUT.
статья, добавлен 30.01.2020Исследование процессов возникновения в живых клетках электрических потенциалов и обусловленных ими биотоков. Определение величины разности потенциалов, существующей на клеточной поверхности. Рассмотрение биоэлектрических явлений в нервных клетках.
реферат, добавлен 06.10.2023Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017