Матричные фотоприёмники 128x128 на основе слоёв HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs\AlGaAs
Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
Подобные документы
Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Разработка комплекса методических и аппаратных средств, направленных на создание эллипсометрического контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе теллуридов кадмия и ртути. Оптические постоянные пленок КРТ.
автореферат, добавлен 15.02.2018Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.
статья, добавлен 20.09.2018Физическое обоснование выбора оптимальной концентрации энергоносителей в зависимости от добротности ряда используемых и перспективных материалов. Электронные свойства сверхрешеток и систем с квантовыми ямами. Расчет теплофизических наноматериалов.
реферат, добавлен 08.04.2013Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Анализ современных высокоэффективных солнечных элементов (СЭ) как сложных многослойных гетеросистем. Рост гетероструктур из молекулярных пучков для солнечных элементов. Основные структурные исследования гетерокомпозиций GaAs/Si с различной ориентацией.
статья, добавлен 16.11.2018Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Виды фотоприёмников, их отличительные черты. Принцип работы фотоприёмника с зарядовой связью, конструкция и материалы составляющих элементов матричных фотоприёмников на основе приборов с зарядовой связью. Области применения матричных фотоприёмников.
курсовая работа, добавлен 29.12.2022Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Разработка технологии изготовления гибридных гетероструктур с прослойкой магнитоактивного материала из манганитов на основе эпитаксиальных сверхпроводящих металлоксидных пленок. Исследование многоэлементных джозефсононовских структур на постоянном токе.
автореферат, добавлен 29.10.2018Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Методика анализа емкостных переходных процессов для определения энергетических и динамических характеристик процессов захвата в массив квантовых точек. Прямое наблюдение емкостных переходных процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек.
автореферат, добавлен 31.07.2018Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Разработка нового метода получения наногетероэпитаксиальных структур, исследования механизмов кристаллизации массива квантовых точек, технологических режимов получения этих структур и исследование их характеристик. Выращивание нанослоев квантовых точек.
статья, добавлен 02.11.2018Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Изучение строения объемных образцов наноструктурных материалов. Технологии осаждения тонкопленочного вещества на подложку из парогазовой фазы, плазмы. Исследование особенностей металлических нанопроводников. Установки для молекулярно-лучевой эпитаксии.
лекция, добавлен 05.05.2015Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Структуры с двумерным, одномерным (квантовые нити) и с нуль-мерным (квантовые точки) электронным газом. Технология квантово-размерных структур. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
реферат, добавлен 03.05.2019Квантовые технологии – технологии, позволяющие управлять коллективными квантовыми явлениями, подразумевающими взаимодействие на уровне потоков частиц, полей и различных сред. Повышение безопасности за счет использования "квантово-безопасных" алгоритмов.
отчет по практике, добавлен 02.04.2023Исследование зарядовых и частотных свойств гетероструктур. Разработка сложных систем с применением ЭВМ. Иерархическая структура и состав низовых функционально завершенных звеньев. Декомпозиция структуры ранее разработанных систем до низовых звеньев.
реферат, добавлен 01.08.2009