Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
Подобные документы
Причины и обоснование необходимости перехода с аналогового радиовещания на цифровое, его основные характеристики и свойства. Существующие проблемы с выделением соответствующих частот. Оценка емкости рынка телерадиовещания и степени охвата населения.
доклад, добавлен 13.04.2011Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Повышение плотности информации в канале связи, его быстродействия и помехозащищенности - достоинства электронно-оптического направления микросхемотехники. Фоторезистор – полупроводниковый прибор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.
контрольная работа, добавлен 09.05.2016- 104. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Аспекты согласования форматов файлов используемых для регистрации биологических сигналов. Характеристика структуры данных и перехода от собственных параметров к стандартным и при проведении государственных испытаний и сертификации медицинского изделия.
статья, добавлен 12.01.2018Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013- 110. Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
презентация, добавлен 27.04.2023 - 111. Электронные приборы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015 Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Метод вычисления статических характеристик джозефсоновского перехода, взаимодействующего с внешней электромагнитной резонансной системой. Компьютерная программа, реализующая алгоритм решения стохастических дифференциальных уравнений с помощью формулы Ито.
статья, добавлен 03.11.2018Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013- 115. Полевой транзистор
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.
реферат, добавлен 26.01.2012 Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Возможности доставки программ населению по эфирным, кабельным и спутниковым телевизионным каналам. Необходимость перехода на цифровой формат вещания. Организованный и поэтапный переход с аналогового на цифровое телевещание. Повышение помехоустойчивости.
доклад, добавлен 29.01.2017Возможные пути перехода к "химическим" самосинхронным функциональностям. Перевод универсального базиса двоичной синхронной логики в гетерогенные автоматы. Наличие внешних синхронизирующих сигналов в них, способных работать в режиме самосинхронизации.
статья, добавлен 31.08.2018Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015- 123. К вопросу о разработке модели нелинейного двухполюсника с управляемой вольт-амперной характеристикой
Разработка схемы замещения нелинейного двухполюсника с вольт-амперной характеристикой. Использование аналого-цифро-аналогового элемента для решения задачи. Применение полиномов различной степени для аппроксимации характеристик нелинейных элементов.
статья, добавлен 28.07.2017 Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Учение о строении атомов и молекул. Сведения о полиморфных превращениях углерода, о наноуглеродных трубках и способах их получения. Свойства растворов неэлектролитов и электролитов. Физико-химические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
учебное пособие, добавлен 19.08.2017