Элементы электроники. Полупроводниковые диоды
Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
Подобные документы
- 51. Электрические свойства тонкого слоя магнитной жидкости с графитовым наполнителем в магнитном поле
Исследование электрических свойств тонкого слоя композиционной магнитной жидкости на основе керосина, содержащего дисперсию микрочастиц графита. Концентрационная зависимость изменения проводимости и емкости ячейки, вызванного действием магнитного поля.
статья, добавлен 28.04.2017 Работа перемещения заряда в электрическом поле. Проводники в электрическом поле. Явление электростатической индукции. Понятие полярных и неполярных диэлектриков, их поляризация. Диэлектрическая проницаемость среды. Анализ электроёмкости и конденсаторов.
презентация, добавлен 25.07.2015Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Построение микроскопической модели резонансно-туннельного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках со слабой туннельной связью. Исследование влияния магнитного поля произвольной ориентации на процессы резонансного туннелирования в сверхрешетках.
автореферат, добавлен 18.11.2018Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Характеристические поля объектов неживой природы. Свойства торсионного излучения. Биологические свойства веществ, используемых в информационной матрице. Зависимость модальности торсионного излучения от сочетания ее пространственно-разделенных веществ.
контрольная работа, добавлен 24.01.2018Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013- 61. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона, закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Диэлектрики в электрическом поле, Разность потенциалов. Электрическое поле точечного заряда. Проводники в электрическом поле.
контрольная работа, добавлен 14.09.2015Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Исследование поляризации капли при попадании в электрическое поле. Описание причин деформации ее формы и ее приближения к эллипсоидальной. Расчет эффективности коалесценции капель в электрическом поле с увеличением размера частиц и напряженности поля.
статья, добавлен 03.05.2019Классификация веществ по проводимости: проводники, полупроводники, диэлектрики. Движение электронов при увеличении температуры и воздействии на них электрического поля. Характеристика полупроводникового диода, его основные свойства и применение.
презентация, добавлен 19.02.2016Анализ преимуществ процесса распыления заряженных частиц краски на изделие в электрическом поле. Эффективность зарядных устройств трибоэлектрических распылителей. Изучение напряженности электрического поля в слое при осаждении порошкового материала.
реферат, добавлен 10.08.2013Электрические свойства кристаллов. Классическая электронная теория электропроводности металлов. Классификация проводниковых материалов. Электропроводность полупроводников, сверхпроводимость и ее природа. Специфика применения квантовой электроники.
реферат, добавлен 16.10.2013Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Изучение туннельного эффекта и многофотонной ионизации в переменном электрическом поле. Вычисление импульсного распределения и вероятности процесса ионизации двумерной и трехмерной квантовой ямы суперпозицией постоянного и переменного электрических полей.
курсовая работа, добавлен 14.03.2016Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.
курсовая работа, добавлен 28.11.2013Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов. Вольтамперные характеристики германиевых и кремниевых диодов. Схема однополупериодного выпрямителя с параллельным включением диодов. Классификация выпрямительных диодов по мощности.
лекция, добавлен 19.06.2010Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014- 74. Типы диодов
Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.
реферат, добавлен 27.06.2015 Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021