Полупроводниковые приборы
Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
Подобные документы
Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов. Вольтамперные характеристики германиевых и кремниевых диодов. Схема однополупериодного выпрямителя с параллельным включением диодов. Классификация выпрямительных диодов по мощности.
лекция, добавлен 19.06.2010Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Определение понятия, изучение структуры и общая характеристика методов создания p-n-переходов. Определение основных параметров, характеристик и физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Процесс фотолитографии.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Основные свойства, характеристики, конструктивные особенности тиристора. Максимальное обратное напряжение, прикладываемое к тиристору в трехфазной мостовой схеме и в схеме с нулевым выводом. Синхронизация опорного напряжения СИФУ с питающей сетью.
контрольная работа, добавлен 04.04.2016Электроизмерительные приборы магнитно-электрической системы. Классификация электроизмерительных приборов (вольтметр, амперметр, омметр, ваттметр, частотомер, мультиметры, электрические счетчики), их принцип действия, конструкция и способ применения.
презентация, добавлен 06.05.2013- 81. Лазер
Лазер представляет собой источник монохроматического когерентного света с высокой направленностью светового луча. Лазерная технология. Газовые лазеры. Полупроводниковые лазеры. Область применения лазеров. Перспективы развития. Историческая справка.
реферат, добавлен 22.11.2008 Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.
презентация, добавлен 27.09.2017Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2013Электрический ток в металлах – упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Опыты Э. Рикке, Т. Стюарта и Р .Толмена. Теория сверхпроводимости Л. Купера, Дж. Бардина и Дж. Шриффера. Область применения электрической проводимости.
презентация, добавлен 21.10.2012Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.
курсовая работа, добавлен 28.11.2013Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Расчёты электрических режимов при решении задач, связанных с проектированием и эксплуатацией энергосистем. Несимметричный режим в сети, сравнительный анализ и оценка его негативного влияния на потребителей, питающихся от тяговых подстанций.
реферат, добавлен 26.03.2014Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
дипломная работа, добавлен 14.09.2017Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016