Характеристики биполярного транзистора

Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.

Подобные документы

  • Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.

    статья, добавлен 17.07.2018

  • Биполярный транзистор как весьма сложный полупроводниковый прибор: общая характеристика, знакомство с принципом работы. Рассмотрение основных особенностей определения параметров усилительного каскада. Анализ схемы замещения биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 12.05.2013

  • Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BSX20. Расчет резистивных элементов каскада. Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя. Расчет емкостных элементов каскада. Коэффициент усиления по напряжению.

    курсовая работа, добавлен 07.08.2013

  • Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.

    контрольная работа, добавлен 22.10.2017

  • Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2014

  • История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 25.03.2015

  • Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.

    курс лекций, добавлен 04.03.2017

  • Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.

    контрольная работа, добавлен 25.04.2013

  • Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

    статья, добавлен 23.03.2018

  • Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.

    контрольная работа, добавлен 27.05.2012

  • Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.

    контрольная работа, добавлен 16.09.2013

  • Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.

    реферат, добавлен 20.01.2016

  • История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.

    реферат, добавлен 15.04.2010

  • Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Разработка схемы автоматической регулировки мощности для генератора сигналов качающейся частоты с рабочим диапазоном частот 20-100 МГЦ. Эмиттерный повторитель с использованием биполярного транзистора. Расчет схемы усилителя с автоподстройкой усиления.

    дипломная работа, добавлен 02.12.2013

  • Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.

    реферат, добавлен 27.11.2013

  • Влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на динамические характеристики. Изменение максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектными нормами 0,18 мкм к проектным нормам 0,09 мкм.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.

    курсовая работа, добавлен 25.10.2015

  • Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.

    контрольная работа, добавлен 31.01.2014

  • Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.

    лекция, добавлен 12.01.2015

  • Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2012

  • Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.

    реферат, добавлен 16.06.2014

  • Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.

    статья, добавлен 09.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.