Полупроводниковые приборы
Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
Подобные документы
Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Электрическая проводимость различных веществ. Электронная проводимость металлов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Движение электронов в металле. Сверхпроводимость при очень низких температурах. Электрический ток в полупроводниках.
реферат, добавлен 09.03.2013Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Электрические характеристики, параметры электровакуумных приборов, электронных устройств. Полупроводниковые диоды, электронные схемы на их основе. Обратные связи в операционных усилителях. Импульсные электронные генераторы на базе операционных усилителей.
презентация, добавлен 03.01.2018Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Вывод квантовых распределений для равновесных систем бозонов и фермионов. Получение распределения и его применение для фотонов (тепловое излучение) и для электронов в металле. Предельный переход к статистике Больцмана. Распределение Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 14.10.2014Создание инверсной населенности в полупроводниках. Поток квантов излучения. Оптический переход с сохранением квазиимпульса. Лазеры на гетеропереходах. Спектр частот излучения. Пороговый ток, выходная мощность излучения и эффективность работы лазера.
реферат, добавлен 28.08.2013Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014- 41. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Исследование электронных свойств и роли локализованных состояний, определяющих особенности щели подвижности в халькогенидных полупроводниках. Введение железа в стекла и последующий рост электропроводности и уменьшение энергии активации электропроводности.
статья, добавлен 12.05.2018 Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Рассмотрение возникновения и расчет контактной разности потенциалов между двумя металлическими телами. Описание перемещения уровней Ферми "в структуре энергетических зон" тел. Вычисление разности потенциалов между поверхностями анода и катода диода.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.
лекция, добавлен 06.02.2010Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Виды электропроводности: электронной, ионной и дырочной. Электрическая проводимость различных материалов, газов, электролитов, плазмы. Характеристика диэлектриков, явление сверхпроводимости. Состояние основных механических и оптических свойств веществ.
контрольная работа, добавлен 20.10.2010Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016Физический процесс, приводящий к экспериментально-наблюдаемой картине дифракции электронов. Уравнение для длины волны. Экспериментальная установка для изучения дифракции электронов на кристаллических структурах. Изображение электронно-лучевой трубки.
лабораторная работа, добавлен 01.09.2020Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010