Емкости p-n-перехода

Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.

Подобные документы

  • Конденсатор как двухполюсник с определенным значением емкости и проводимости, устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Варианты конструкции, история изобретения, функции. Типы: постоянной емкости, поляризованный, подстроечный.

    презентация, добавлен 15.12.2013

  • Основная единица электрической емкости конденсатора. Емкостное сопротивление конденсатора переменному току, зависимость от емкости и частоты тока. Конденсаторы переменной и постоянной емкости. Соединение конденсаторов параллельно или последовательно.

    доклад, добавлен 09.11.2011

  • Рассмотрение электрической емкости конденсаторов. Принцип работы проводников переменного и постоянного тока. Конструкции конденсаторов: бумажных, слюдяных, керамических, электролитических, переменной емкости с воздушным или твердым диэлектриком.

    презентация, добавлен 27.10.2014

  • Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.

    контрольная работа, добавлен 19.09.2017

  • Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.

    реферат, добавлен 05.11.2017

  • Описание способа изготовления перехода Джозефсона и исследование по возможности улучшения его воспроизводимости и качества. Возможность управления параметрами процесса изготовления перехода с учетом характеристик высокотемпературного сверхпроводника.

    статья, добавлен 01.02.2019

  • Определение понятия, изучение структуры и общая характеристика методов создания p-n-переходов. Определение основных параметров, характеристик и физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Процесс фотолитографии.

    курсовая работа, добавлен 01.05.2011

  • Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

    реферат, добавлен 27.01.2011

  • Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.

    лекция, добавлен 30.07.2013

  • Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Изучение теории фазовых переходов второго рода. Анализ фазового перехода, управляемого не классическими тепловыми флуктуациями, а квантовыми, которые существуют при абсолютном нуле температур. Реализация классического перехода вследствие теоремы Нернста.

    статья, добавлен 10.08.2018

  • Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.

    лекция, добавлен 25.09.2017

  • Зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему напряжения, ее выражение в графическом виде и ее описание экспоненциальной зависимостью. Вольтамперная характеристика, в которой отражено свойство односторонней электропроводности p-n-перехода.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Основные понятия о переменном токе, идеальные и реальные элементы в цепи синусоидального тока. Представление синусоидальных величин вращающимися векторами. Цепь переменного тока с резистивным элементом. Определение емкости батареи конденсаторов.

    презентация, добавлен 09.06.2016

  • Уравнение состояния модели газа резонансно возбужденных ридберговских атомов. Варианты систем с произвольно и одинаково ориентированными дипольными моментами. Критические параметры фазового перехода. Особенности фазового перехода в дипольных системах.

    статья, добавлен 29.04.2019

  • Анализ методов и схем измерения отклонения значения электрической емкости датчика от номинального значения, обеспечивающих эффективное использовании диапазона преобразования измерительных устройств. Методы и схемы преобразования отклонения емкости.

    статья, добавлен 27.02.2019

  • Работа конденсатора с электродами. Разность потенциалов на границе нейтральных фаз. Электростатический потенциал поверхности многофазной системы. Основные условия накопления разделенных зарядов противоположного знака. Электрическая емкость фаз.

    контрольная работа, добавлен 14.11.2011

  • Изучение зависимости термодинамического потенциала от величины фазового перехода. Исследование параэлектрической фазы диэлектриков. Причины возникновения спонтанной поляризованности сегнетоэлектрических кристаллов. Тепловые свойства сегнетоэлектриков.

    реферат, добавлен 03.09.2015

  • Максимальное и минимальное значения емкости рабочего конденсатора куметра. Схемы включения измеряемой индуктивности. Момент настройки и его определение по максимуму показаний вольтметра. Фиксация резонансного значения емкости рабочего конденсатора.

    реферат, добавлен 26.04.2017

  • Определение при помощи классического метода напряжения на емкости, а также тока через индуктивность исходной схемы при размыкании ключа. Расчет принужденной составляющей напряжения на емкости и тока через индуктивность для послекоммутационной схемы.

    контрольная работа, добавлен 23.09.2017

  • Наблюдения, полученные в процессе измерения физической величины, оценка случайной погрешности измерений. Прямые измерения емкости конденсатора. доверительные границы не исключённых систематических погрешностей. Измерение мощности постоянного тока.

    контрольная работа, добавлен 28.08.2010

  • Измерение параметров эквивалентной схемы катушки индуктивности в диапазоне частот. Расчет значения эффективной емкости и сопротивления. Вычисление реальных параметров катушки. Измерение зависимости емкости C и тангенса угла потерь конденсатора от частоты.

    лабораторная работа, добавлен 23.06.2015

  • Исследование явления резонанса при последовательном и параллельном соединении элементов. Исследование последовательного колебательного контура при изменении емкости конденсатора. Резонанс токов подбором емкости конденсатора C при параллельном соединении.

    лабораторная работа, добавлен 13.04.2023

  • Исследование процессов, протекающих в цепи нагрузки высоковольтного трансформатора тока с учетом влияния величины первичного напряжения и межобмоточной емкости трансформатора. Поиск погрешностей трансформатора тока при разных его значениях тока.

    статья, добавлен 22.03.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.