Ограничение на минимальный поперечный размер вертикальной части стока кремниевого вертикального ДМОП-транзистора из-за нелинейного роста выходного сопротивления в открытом состоянии

Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.

Подобные документы

  • Улучшение характеристик усилителей мощности звуковой частоты путем введения обратной токовой связи. Снижение эффекта "транзисторного звучания" за счет увеличения импеданса усилителя мощности на высоких частотах. Характеристика выходного сопротивления.

    статья, добавлен 27.02.2019

  • Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.

    контрольная работа, добавлен 27.02.2015

  • Анализ нагрузочной цепи, вывод выражений входного сопротивления и коэффициента передачи по напряжению. Электрическая цепь транзистора с нагрузкой. Проверка выражений входного сопротивления и коэффициента передачи транзистора, нормировка элементов цепи.

    курсовая работа, добавлен 18.05.2010

  • Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.

    лабораторная работа, добавлен 27.06.2015

  • Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.

    лабораторная работа, добавлен 06.06.2023

  • Анализ принципиальной электрической схемы. Расчет и выбор элементов выходного выпрямителя и сглаживающего фильтра. Схема выходного выпрямителя с фильтром. Расчет и выбор элементов мостового преобразователя напряжения. Анализ параметров транзистора.

    курсовая работа, добавлен 23.01.2017

  • Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.

    статья, добавлен 17.07.2018

  • Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.

    курс лекций, добавлен 21.02.2014

  • Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 14.09.2017

  • Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 03.10.2017

  • Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.

    курсовая работа, добавлен 31.03.2011

  • Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.

    статья, добавлен 24.05.2017

  • Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.

    реферат, добавлен 23.05.2015

  • Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Исследование возможности повышения выходного сопротивления генератора тока, построенного на интегральных структурах горизонтальных p-n-p-транзисторах. Необходимость модификации генератора. Сравнение параметров исходного, модифицированного генератора тока.

    статья, добавлен 29.01.2017

  • Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.

    методичка, добавлен 11.12.2015

  • Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.

    лекция, добавлен 10.03.2016

  • Моделирование переходных характеристик грунтов и анализ растекания токов вокруг заземлителей. Динамика изменения сопротивления подземного проводника. Расчет импульсного сопротивления вертикального стержня с учетом искрообразований в окружающем его грунте.

    статья, добавлен 14.04.2018

  • Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.

    контрольная работа, добавлен 15.01.2016

  • Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.

    лабораторная работа, добавлен 03.10.2011

  • Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2013

  • Определение зависимости сопротивления кожи от внешних воздействий. Изучение методик измерения сопротивления. Схемы подключения электродов при измерении сопротивления тела человека. Описание блоков и программное обеспечение измерительного устройства.

    курсовая работа, добавлен 13.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.