Ограничение на минимальный поперечный размер вертикальной части стока кремниевого вертикального ДМОП-транзистора из-за нелинейного роста выходного сопротивления в открытом состоянии
Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
Подобные документы
Улучшение характеристик усилителей мощности звуковой частоты путем введения обратной токовой связи. Снижение эффекта "транзисторного звучания" за счет увеличения импеданса усилителя мощности на высоких частотах. Характеристика выходного сопротивления.
статья, добавлен 27.02.2019Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Анализ нагрузочной цепи, вывод выражений входного сопротивления и коэффициента передачи по напряжению. Электрическая цепь транзистора с нагрузкой. Проверка выражений входного сопротивления и коэффициента передачи транзистора, нормировка элементов цепи.
курсовая работа, добавлен 18.05.2010Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Анализ принципиальной электрической схемы. Расчет и выбор элементов выходного выпрямителя и сглаживающего фильтра. Схема выходного выпрямителя с фильтром. Расчет и выбор элементов мостового преобразователя напряжения. Анализ параметров транзистора.
курсовая работа, добавлен 23.01.2017Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.
статья, добавлен 17.07.2018Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011- 14. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Исследование возможности повышения выходного сопротивления генератора тока, построенного на интегральных структурах горизонтальных p-n-p-транзисторах. Необходимость модификации генератора. Сравнение параметров исходного, модифицированного генератора тока.
статья, добавлен 29.01.2017Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Моделирование переходных характеристик грунтов и анализ растекания токов вокруг заземлителей. Динамика изменения сопротивления подземного проводника. Расчет импульсного сопротивления вертикального стержня с учетом искрообразований в окружающем его грунте.
статья, добавлен 14.04.2018- 21. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Определение зависимости сопротивления кожи от внешних воздействий. Изучение методик измерения сопротивления. Схемы подключения электродов при измерении сопротивления тела человека. Описание блоков и программное обеспечение измерительного устройства.
курсовая работа, добавлен 13.05.2014