Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР
Вивчення впливу низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу і характеристики гетерофотодіодів на основі моноселенідів індію та галію. Встановлення оптимального режиму термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур.
Подобные документы
Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Аналіз сигналів відгуку ядерного квадрупольного резонансу. Вплив елементів радіоспектрометра неперервної методики на відтворюваність спектру. Використання резонансного імітатора сигналів ядерної індукції. Зменшення впливу зосередженої синхронної завади.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
автореферат, добавлен 25.09.2015Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
автореферат, добавлен 26.07.2014Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Експериментальне дослідження та комп’ютерне моделювання вихідних і світлових діодних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію з p+-i-n+ структурою. Аналіз електронної моделі перетворювача.
статья, добавлен 23.12.2016Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Дослідження імітансних характеристик комбінованих динамічних негатронів на основі польового транзистора Шоттки в діапазоні частот при різних значеннях перетворюваного імітансу. Вивчення особливостей активних фільтрів, генераторів гармонійних коливань.
автореферат, добавлен 26.09.2014Вивчення методів покращення технічних характеристик керованих п'єзорезонансних пристроїв (ПРП) генерування, модуляції та фільтрації частоти на основі кварцових резонаторів (КР) із однобічним масонавантаженням та модуляцією міжелектродного зазору (ОММЗ).
автореферат, добавлен 13.08.2015Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Оптимізація структури елементів і пристроїв обчислювальної техніки на основі спільного використання класичного і альтернативних форм проектування. Розробка засобів оптимізації цифрових блоків на основі ізоморфізму логічних та кусково-постійних функцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Прецизійні кварцові джерела опорних коливань. Одномірна щільність розподілу імовірності функцій модуляційних характеристик у формі закону Райса. Явище збігу частоти модуляції з частотою ангармонійного резонансу. Роль пластин лангаситових фільтрів.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 17. Конструкційна оптимізація хвилеводно-вібраторного випромінювача з повернутою площиною поляризації
Конструкція випромінювача на основі лінійної вібраторно-хвилеводної решітки для використання у складі пристрою опромінення діелектричних матеріалів електромагнітним полем. Параметри для досягнення високої рівномірності розподілу поля перед випромінювачем.
статья, добавлен 01.03.2017 Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014- 19. Радіовимірювальні перетворювачі для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором
Дослідження властивостей радіовимірювальних перетворювачів для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором. Розрахунок динамічних характеристик перетворювачів з врахуванням залежності параметрів елементів пристроїв від впливу товщини.
автореферат, добавлен 30.07.2015 Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Структура, фазовий склад та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування тонких плівок на основі FePt в мікроелектроніці. Основні методи впливу на структуру та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування методу in situ резистометрії.
диссертация, добавлен 02.10.2018Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Анализ основных характеристик аналоговой цепи. Расчёт цифровой цепи методом Эйлера. Расчёт цифровой цепи методом билинейного преобразования и методом инвариантной импульсной характеристики. Разработка и тестирование алгоритма цифровой фильтрации.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017Определение состава лабораторной установки. Описание конструкции и работы оптического канала. Схема измерения в области микротоков. Описание блока электрических измерений. Расчет собственной частоты печатного узла. Выбор способов защиты устройства.
дипломная работа, добавлен 19.04.2014Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.
статья, добавлен 30.12.2016