Описание поведения МОП-транзистора на физическом уровне с учётом экстремальных температур
Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
Подобные документы
Кинетические теория тепла и понятия термодинамической температуры. Изучение способов получения низких температур. История изобретения холодильных аппаратов и достижений в получении низких температур. Описание физической природы сверхнизких температур.
реферат, добавлен 10.04.2013Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.
курсовая работа, добавлен 16.06.2022Понятие термодинамической температуры в физике. Влияние понижения температуры на изменение свойства тел. История изобретения холодильных аппаратов и достижений в получении низких температур. Современные способы получения низких и сверхнизких температур.
реферат, добавлен 10.04.2013Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.
лекция, добавлен 09.04.2015Разработка методики моделирования температурного распределения на поверхности отопительной панели с учётом ее характеристик и температуры внутреннего воздуха. Анализ изменения неравномерности температур поверхности при разной температуре теплоносителя.
статья, добавлен 30.05.2017Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.
лекция, добавлен 21.10.2014Получение формулы для определения температуры газа для любого распределения температур составляющих его молекул, включая неравновесные распределения, исходя из уравнения состояния газа Клапейрона. Зависимость температур молекул от их кинетической энергии.
статья, добавлен 02.03.2019Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
презентация, добавлен 20.07.2013Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Понятие о температуре и о температурных шкалах. Законы изменения давления от температуры. Шкала Цельсия, Реомюра, Кельвина, Фаренгейта. Методы измерения температуры: контактный и бесконтактный. Устройства для измерения температур: термометр и пирометр.
реферат, добавлен 10.01.2009Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014Анализ особенностей источника опорного напряжения, который является составным элементом сложно-функциональных блоков: аналого-цифровых преобразователей и вторичных источников питания. Определение напряжения база-эмиттера биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.06.2017Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Характеристика биполярных и МДП-транзисторов. Разработка функциональной схемы универсальной автоматизированной установки. Создание программного обеспечения для управления измерительной установкой; особенности применения технологии "клиент-сервер".
дипломная работа, добавлен 30.11.2018Характеристика измерительных приборов и разнообразных методов измерения температур. Основные температурные шкалы. Манометрические термометры. Барометрическая погрешность манометрического термометра. Закон внутренних температур и промежуточных проводников.
презентация, добавлен 06.08.2013Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Исследование трения и износа детонационных композиционных покрытий FeAl 2 -Ti-Si в условиях высокотемпературного трения. Обоснование выбора композиции и ее состава для напыления износостойких покрытий, нагруженных трением в условиях высоких температур.
статья, добавлен 26.03.2016Разработка мобильных систем энергоснабжения с использованием возобновляемых источников энергии для автономного применения в Арктической зоне РФ. Описание фотоэлектрического источника питания, адаптированного к эксплуатации в условиях низких температур.
статья, добавлен 18.06.2021