Молекулярно-пучковая эпитаксия
Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
Подобные документы
Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Молекулярно-лучевая эпитаксия и лазерное распыление. Суть химических вакуумных методов. Электрохимическое осаждение покрытий и химическая металлизация. Оптические свойства пленок аморфных оксидов ванадия.
курсовая работа, добавлен 15.08.2011Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Изучение строения объемных образцов наноструктурных материалов. Технологии осаждения тонкопленочного вещества на подложку из парогазовой фазы, плазмы. Исследование особенностей металлических нанопроводников. Установки для молекулярно-лучевой эпитаксии.
лекция, добавлен 05.05.2015Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Структуры с двумерным, одномерным (квантовые нити) и с нуль-мерным (квантовые точки) электронным газом. Технология квантово-размерных структур. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
реферат, добавлен 03.05.2019История развития представлений о природе тепловых явлений. Основные положения молекулярно-кинетической теории. Молекулярно-кинетическая теория идеального газа. Объяснение механических свойств твердых тел на основании молекулярно-кинетической теории.
учебное пособие, добавлен 07.08.2017Описание основных положений молекулярно-кинетической теории. Сущность изменения агрегатного состояния вещества. Молекулярно-кинетическая теория идеальных газов. Экспериментальные газовые законы. Температура, как мера средней кинетической энергии.
контрольная работа, добавлен 11.10.2016Основные понятия молекулярно-кинетической теории. Уравнение Клапейрона-Менделеева. Изотермический, изохорный и изобарный процессы. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории. Кинетическая энергия поступательного движения молекул идеального газа.
реферат, добавлен 13.09.2015- 12. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Основные положения молекулярно-кинетической теории и ее опытные обоснования. Вычисление длины свободного пробега молекулы газа. Основные уравнения молекулярно-кинетической теории идеального газа для давления. Энергия поступательного движения молекул газа.
реферат, добавлен 03.04.2015Характеристика графика зависимости потенциальной энергии взаимодействия молекул от расстояния между ними. Особенности положений молекулярно-кинетической теории. Диффузия как взаимное проникновение молекул соприкасающихся веществ, анализ разновидностей.
контрольная работа, добавлен 22.10.2013Основы метода молекулярной динамики. Способы повышения производительности молекулярно-динамического моделирования при помощи различных вычислительных методов и графических ускорителей. Моделирование системы заряженных частиц в виде кластерной наноплазмы.
курсовая работа, добавлен 09.02.2017- 16. Проект станции синхротронного излучения в диапазоне вакуумного ультрафиолета для диагностики пламени
Исследование химико-физических процессов и продуктов горения. Использование молекулярно-пучковой зондовой масс-спектрометрии для диагностики пламени в диапазоне вакуумного ультрафиолета. Преимущества установки с синхротронным излучением ВУФ диапазона.
статья, добавлен 08.11.2018 Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Критические параметры эпитаксиальных пленок сплавов при их применении в гетеропереходных устройствах и их напряженность, плотность дефектов и подвижность носителей. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Особенности совмещения кремниевой и германиевой технологии.
реферат, добавлен 28.04.2016Различия в свойствах тел. Распределение молекул по скоростям, броуновское движение. Эксперименты, лежащие в основе молекулярно-кинетической теории. Понятие идеального газа. Температура и способы ее измерения. Уравнение состояния идеального газа.
реферат, добавлен 01.04.2015Проведение исследования молекулярно-кинетической теории строения вещества. Предложение модели идеального газа, в котором объемы молекул равны нулю. Основная характеристика изотермического характера гравитационного сжатия газа при образовании протозвезд.
статья, добавлен 28.03.2020Основные положения молекулярно-кинетической теории. Термодинамические параметры. Уравнение состояния идеального газа. Молекулярно-кинетическое толкование абсолютной температуры. Закон равномерного распределения энергии по степеням свободы молекул газа.
лекция, добавлен 17.07.2013Молекулярно-кинетическая теория газов - учение, объясняющее тепловые явления в газовых средах и свойствах на основе их молекулярного строения. Положение и взаимодействие частиц газов: диффузия, броуновское движение, изменение агрегатных состояний.
шпаргалка, добавлен 28.04.2012Термостат и его свойства. Дискретный спектр собственных колебаний. Идея абсолютно упругих соударений. Вероятностный характер распределения молекул по скоростям. Работа, совершаемая в процессе соударения. Пересмотр молекулярно-кинетической теории.
реферат, добавлен 22.11.2018Представлены результаты исследования электрических свойств тонких пленок жидкости на поверхности металла с помощью микроволн. Исследования были выполнены в медном прямоугольном волноводе. Результаты электромагнитных потерь при пропускании излучения.
статья, добавлен 26.01.2021- 25. Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
Молекулярно-динамічне моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, утворення вакансій радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, які описуються багаточастинковими атомними потенціалами.
автореферат, добавлен 22.06.2014